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飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道的TrenchMOS
（TM）
晶体管
PSMN070-200B ; PSMN070-200P
漏极电流ID （ A）
40
VDS > ID X RDS （ ON）
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
6
栅 - 源电压，V GS （V）的
175 C
TJ = 25℃
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
阈值电压VGS （ TO ） （V ）
最大
典型
最低
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
结温TJ（ C）
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
)
跨导， GFS （ S）
VDS > ID X RDS （ ON）
TJ = 25℃
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
1.0E-01
漏极电流ID （ A）
1.0E-02
175 C
1.0E-03
最低
典型
1.0E-04
最大
1.0E-05
1.0E-06
0
5
10
15
20
25
漏极电流ID （ A）
30
35
40
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
栅 - 源电压，V GS （V）的
4
4.5
5
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
)
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 C
正规化的导通状态电阻
2.9
2.7
2.5
2.3
2.1
1.9
1.7
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
0.5
-60
-40
-20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
结温TJ（ C）
10000
电容，西塞，科斯，的Crss （PF ）
西塞
1000
科斯
100
CRSS
10
0.1
1
10
漏 - 源电压， VDS （V ）
100
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
R
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
)
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
1999年8月
6
启1.000
