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功耗
2
3
4
5
6
每SEMI G38-87和JEDEC JESD51-2与单层板的水平。
根据JEDEC JESD51-6与董事会的水平。
模具和根据JEDEC JESD51-8所述印刷电路板之间的热阻。主板温度
在电路板上封装附近的顶表面上进行测量。
表示模头与壳体顶面之间的平均热电阻通过冷板测
方法（ MIL SPEC - 883方法1012.1 ）与用于外壳温度冷板温度。对于曝光
焊盘的封装，其中所述垫预计将被焊接，结到外壳的热阻是一个模拟
值从结到裸露焊盘不接触电阻。
指示包装顶部和连接处之间的温差热特性参数
温度每JEDEC JESD51-2 。
第五部分功耗
表5-4提供功耗信息。该模式是1： 1，其中， CPU和总线
速度是相等的，和2：1的模式，其中CPU的频率是两倍的总线速度。
表5-4 。功耗（P
D
)
裸片修订
A.3和上一个
频率（MHz）
25
40
50
B.1和C.1
33
50
66
D.3和D.4
（1： 1模式）
D.3和D.4
（ 2 ： 1模式）
1
2
典型
1
450
700
870
375
575
750
656
待定
722
851
最大
2
550
850
1050
待定
待定
待定
735
待定
762
909
单位
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
50
66
66
80
典型功耗测量为3.3 V.
最大功耗测量为3.5 V.
记
表5-4 “值表示V
DDL
基于功耗
不包括I / O功耗比V
DDH
。 I / O电源
耗散的应用由于缓冲器的电流变化很大，
取决于外部电路。
8
MPC860系列硬件特定网络阳离子
摩托罗拉
