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绝对最大额定值
[1]
符号
V
EBO
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
参数
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
功耗
[2,3,4]
结温
储存温度
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
绝对
最大
1.5
11
5.5
32
150
150
-65到150
热阻
[2]
:
θ
jc
= 370 ° C / W
注：
１. これらのパラメータのいずれかを超え
る状態でデバイスを動½させると、永
久的な損傷を受ける可½性がありま
す．
２. T
安装面
= 25℃．
３. T
C
> 94.5 ℃の场合は， 2.7mW / ℃の割合
で定格を下げてください．
4 。 1デバイスあたり150毫瓦。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= 25°C
符号
NF
G
A
h
FE
I
CBO
I
EBO
注：
１. すべてのデータは各々のトランジスタの特性です.
２. 図1のテスト回路を½用。この数字は回路のロスから計算された値です．図1の回路では入力は0.2dB、出力は0.3dBのロスが存在し
ています．
参数和测试条件
噪声系数; V
CE
= 2.7 V，I
C
= 5毫安
相关增益; V
CE
= 2.7 V，I
C
= 5毫安
正向电流传输比; V
CE
= 2.7 V，I
C
= 5毫安
集电极截止电流; V
CB
= 3 V
噪声系数; V
EB
= 1 V
F = 0.9 GHz的
F = 0.9 GHz的
单位最小值。典型值。马克斯。
dB
dB
A
A
50
1.1
[2]
12.5
[2]
14.5
[2]
270
0.2
1.5
1.4
[2]
50
W = 10
L = 450
测试电路
板材料= 0.047 GETEK （ ε = 4.3 ）
在密尔尺寸
不按比例
W = 10
L = 100
50
W = 20
L = 60
图1.测试电路的噪声系数和相关的增益。
この回路は、最適な雑音指数、利得、安定性を考慮し、実用的、
総合的な整合を行なうように構成されています。
2
