第4章EPROM
EPROM的写入模式（1/2）
14.5clocks
¨ ¨è
OSC
CK1
CK2
CK3
VCC
RESETB
K3 ~ K0
D4 ~ D0
6V
0V
12.5V
0000
AH
AL
DH
2us的频率为500kHz
¨ ¨
9.5V
PGM写（ 0110 ）
1000
DL
1110
1101
OH
OL
0000
AH
AL
DH
1000
DL
重复10次
12us ×10 = 120us
1
2
3
4
VERIFY
接下来写
AH ：高位地址输入锁存
AL ：低比特地址输入锁存
DH ：高位数据输入锁存
DL ：低比特数据输入锁存器
OH ：高位数据输出
OL ：低位数据输出
*注： 1， AH ， AL ， DH ， DL输入被释放，在100 200ns的后OSC上升沿
宽度1OSC周期（如果OSC为500kHz ，宽度为2uS时间之内） 。
EPROM的写入模式（2/2）
开始
¨
RESET
（集EPROM写入模式）
¨é
EPROM写入
（写一次）
地址++
地址=首地址
No
¨è
设置地址&数据
Count=0
地址>最后一个地址
是的
RESETB=0V
VCC=0V
通
¨é
EPROM写入
重复，直到近100us的。
当500KHz的OSC1 ，重复10
倍（ 12uS * 10 = 120uS ）
EPROM阅读模式
验证所有
失败
设备故障
设备确定
算上++
¨ê
VERIFY
失败
No
Count=25?
是的
结束
通
RESETB=0V
VCC=0V
4- 5
