ZVN3306A
典型特征
V
GS =
10V 9V
I
D（上）
- 酮状态漏电流（安培）
8V
0.8
7V
6V
5V
4V
3V
0
0
2
4
6
8
10
V
DS-
漏源
电压（伏）
1.0
10
8
0.6
6
I
D=
1A
4
0.4
0.2
2
0.5A
0.25A
0
0
2
4
6
8
10
V
DS
- 漏源
电压（伏）
V
GS
-Gate来源
电压（伏）
饱和特性
电压饱和特性
R
DS （ ON）
- 漏源电阻
()
I
D（上）
- 酮状态漏电流（安培）
1.0
V
DS =
10V
0.8
10
5
I
D=
1A
0.5A
0.25A
0.6
0.4
0.2
0
0
2
4
6
8
10
1
1
10
20
V
GS-
门源电压
（伏）
V
GS
-Gate源电压
（伏）
传输特性
上的电阻与栅极 - 源极电压
2.4
g
fs
-forward跨导（MS ）
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-80 -60 -40 -20
I
D=-
0.5A
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0 0.1 0.2
0.3
0.4
0.5 0.6
0.7 0.8
0.9 1.0
V
DS =
18V
Dr
Re
ce
ur
o
-S
艾因
eR
nc
ta
SIS
n)
(o
DS
门Thresh的
老
电压V
GS
（日
)
0 20 40 60 80 100 120 140 160
T-温度（ C° ）
I
D（上）
- 漏电流（安培）
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
与温度
跨导V漏电流
3-376
