ZVN2106A
典型特征
I
D（上）
- 酮状态漏电流（安培）
4
V
DS-
漏源
电压（伏）
V
GS =
10V
9V
8V
7V
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
2
4
6
8
10
0.5A
0.25A
I
D=
1A
3
2
6V
5V
4V
1
0
0
1
2
3
4
5
3V
V
DS
- 漏源
电压（伏）
V
GS-
门源电压
（伏）
饱和特性
R
DS （ ON）
- 漏源导通电阻
()
电压饱和特性
I
D（上）
- 酮状态漏电流（安培）
4
V
DS =
10V
10
3
2
1
I
D=
1A
0.5A
0.25A
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.1
1
2
3
4
5 6 7 8 9 10
20
V
GS-
门源
电压（伏）
V
GS
-Gate源电压
（伏）
传输特性
导通电阻的V栅极 - 源极电压
2.4
0.7
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-80 -60 -40 -20
D
eR
nc
ta
SIS
Re
V
GS =
10V
e
rc
I
D=
1A
ou
-S
艾因
Dr
V
GS =
V
DS
I
D=
1mA
g
fs
-Transconductance （S）
)
on
S(
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
1
2
3
4
5
V
DS =
10V
门Thresh的
老
电压V
GS
（日
)
0 20 40 60 80 100 120 140 160
T
j
-Junction温度（ C° ）
I
D
- 漏电流（安培）
归一化
DS （ ON）
和V
GS （ TH）
与温度
跨导V漏电流
3-362
