p沟道增强
模式垂直DMOS FET
第2期？ MARCH 94
特点
* 50伏V
DS
* R
DS （ ON）
=10
*低门槛
ZVP4105A
D
G
S
绝对最大额定值。
参数
漏源电压
连续漏电流在T
AMB
=25°C
漏电流脉冲
门源电压
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
DS
I
D
I
DM
V
GS
P
合计
T
j
:T
英镑
-50
电子线
TO92兼容
价值
-175
-520
±
20
单位
V
mA
mA
V
mW
°C
625
-55到+150
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
符号最小值。
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
-50
-0.8
-2.0
10
-15
-60
-100
10
50
40
15
6
10
10
18
25
MAX 。单位条件。
V
V
nA
A
A
漏源击穿
电压
门极 - 源
电压
门体漏
零栅压漏
当前
I
D
= -0.25mA ，V
GS
=0V
ID = -1mA ，V
DS
= V
GS
V
GS
=
±
20V, V
DS
=0V
V
DS
=-50V, V
GS
=0V
V
DS
=-50V, V
GS
= 0V ，T = 125°C
(2)
V
DS
=-25V, V
GS
=0V
V
GS
=-5V,I
D
=-100mA
V
DS
=-25V,I
D
=-100mA
nA
静态漏源导通国家科研
DS （ ON）
电阻（1）
正向跨导
(1)(2)
输入电容（ 2 ） （ 4 ）
共源输出
电容（2）（ 4）
反向传输
电容（2）（ 4）
上升时间（ 2）（3 ）（4）
下降时间（2）（ 3 ）（4）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
DS
=-25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
导通延迟时间（ 2 ） （ 3 ） （ 4 ）T
D（上）
t
r
t
f
关断延迟时间（ 2 ） （ 3 ） （ 4 ）T
D（关闭）
V
DD
≈
-30V ，我
D
=-270mA
（1）脉冲条件下进行测定。宽= 300
秒。占空比
≤
2%
（ 2 ）样品测试。
（3 ）测定的，用50开关时间
源阻抗和＆lt; 5纳秒的上升时间的脉冲发生器
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