位置：首页 > IC型号导航 > 首字符Z型号页 > 首字符Z的型号第83页 > ZXRD1050NQ16 > ZXRD1050NQ16 PDF资料 > ZXRD1050NQ16 PDF资料1第24页
ZXRD1000系列
ZXCM6系列
低电压的MOSFET
独特结构提供了最佳性能，用于切换应用程序。
N沟道器件提供高效率
性能，用于切换应用程序。
这家由Zetex的MOSFET的提供
低导通电阻和低栅极电荷的组合
提供最佳的性能和效率高
用于切换应用，如直流 - 直流转换。
导通电阻是低横跨家族，只从40MΩ
（最大值）为ZXM64N02X部到180mΩ （最大值）为
该ZXM61N02F 。这意味着，通态损耗是
最小化，在低频驱动器提高效率
应用程序。 0.7V及1V的阈值电压
最小允许的MOSFET从低驱动
电压源。
P沟道MOSFET擅长负荷
开关应用。
所述P沟道MOSFET提供高效的
PE rforma NCE的低V olta GE LOA D转换
应用程序。这有助于延长电池寿命的便携式
设备。
最小阈值电压低，只有0.7V或1V，
enablingthe MO SF TS公关OV我去 PTI微米
从低电压源的性能。为确保
设备适合于低电压应用，沥去
源极电压规定为20V或30V 。
为了最大限度地减少通态损耗，提高效率
在低频驱动器的应用中，导通电阻
为了最小化开关损耗，并因此增加了（r
DS （ ON）
）是低横跨的范围内。例如，该
的高频率运行效率，栅极电荷（Qg ） ZXM64P03X具有R
DS （ ON）
只有100mΩ的在栅极到
是很小的。最大的Qg变化从3.4nC至4.5V的16nC源电压。
取决于哪个设备被选择。
RSS
（米勒门源电荷也低，对缓解需求
电容）也低，例如通常30PF的栅极驱动器。最高值的范围从0.62nC的
ZXM6203E6设备。这导致了更高的效率，在ZXM61P03F ，最多9NC为ZXM64P03X 。
高频应用。
小尺寸表面贴装封装
该产品已被设计来优化
各种包装的性能。该部件是
在SOT23 ， SOT23-6和MSOP8封装。该
MSOP8使单或双器件提供。
该MSOP8也是有竞争力的SO8的一半大小
器件和比TSSOP8替代小20％ 。
产品性能
下面的性能特征示出了
该ZXM64N02X的能力。该装置是
推荐用于具有特定的配置使用
在ZXRD DCDC控制器电路。
24
第4期 - 2000年10月
