ESD二极管
MAZL000H系列
硅平面型
对于浪涌吸收电路
3
2.90
+0.20
–0.05
1.9
±0.1
(0.95) (0.95)
4
5
单位：mm
0.16
+0.10
–0.06
1.50
+0.25
–0.05
四个要素阳极普通型
P
合计
=
200毫瓦
2.8
+0.2
–0.3
s
特点
2
0.30
+0.10
–0.05
10
1
1.1
+0.2
–0.1
总功耗
*
结温
储存温度
注）* ：与印刷电路板
P
合计
T
j
T
英镑
200
150
55
to
+150
mW
°C
°C
EIAJ ： SC- 74A
1 ：阴极1
2 ：阴极2
3 ：阴极3
0-0.1
参数
符号
等级
单位
内部连接
3
4
5
2
s
通用电气特性
T
a
=
25°C
*1
参数
齐纳
电压
*2
符号
V
Z
R
ZK
R
Z
I
R
I
Z
I
Z
I
Z
V
R
条件
特定网络ED值
特定网络ED值
特定网络ED值
特定网络ED值
参阅的列表
电气特性
部件号内
民
典型值
最大
单位
V
A
齐膝盖经营性
齐纳营业性
反向电流
注）按照JIS C7031试验1.试验方法
2.静电击穿电压为
±10
kV
测试方法： IEC1000-4-2 （C
=
150 pF的，R
=
330
,
接触放电： 10次）
3. * 1： V
Z
值是在25℃的温度下进行。在其他情况下，进行温度补偿。
* 2 ：在保证电后20毫秒。
1.1
+0.3
–0.1
s
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
(0.65)
4 ：阳极1,2
阳极3,4
5 ： 4阴极
Mini5 -G1封装
1
0.4
±0.2
5
出版日期： 2002年2月
SKE00011BED
1
