位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第571页 > MH4V644AXJJ-5S > MH4V644AXJJ-5S PDF资料 > MH4V644AXJJ-5S PDF资料1第14页
初步
有些内容如有
更改，恕不另行通知。
三菱的LSI
MH4V64/644AXJJ-5,-6,-5S,-6S
快速页模式268435456 - BIT （ 4194304 - WORD 64位），动态RAM
自刷新技术指标
自刷新设备速度的项目后，记为"S" ，行-5S / -6S 。其它特征
并要求再下面是一样正常的设备。
电气特性
（大= 0 70°C ， VCC = 3.3V ± 0.3V ， VSS = 0V ，除非
符号
参数
测试条件
另有说明） （注2）
民
范围
TYP MAX
1600
单位
A
/RAS=/CAS<0.2V
平均电源电流
ICC9 （ AV） *从Vcc自刷新模式
-5S,-6S
/OE=/W=A0~A12(A11)=Vcc-0.2V或
0.2V输出= VCC- 0.2V ， 0.2V或开放
（注6 ）
时序要求
符号
t
RASS
t
RPS
t
CHS
（大= 0 70°C ， VCC = 3.3V ± 0.3V ， VSS = 0V ，除非另有说明，请参见注释13,14 ）
范围
-5S
民
最大
民
100
110
- 50
100
90
- 50
-6S
最大
us
ns
ns
参数
CBR的自刷新的RAS低脉冲宽度
CBR自刷新高RAS预充电时间
CBR自刷新RAS保持时间
单位
自刷新ENTRY &退出条件
（1）在壳体的CBR分布刷新的
最后的/第一个完整的刷新周期内必须TNS / tSN要从做自刷新前/后，
对tNS≤ 64毫秒， tSN要从条件
≤
64毫秒。
t
NS
自刷新周期
分布式刷新
< 64毫秒>
分布式刷新
< 64毫秒>
t
SN
（2）在壳体爆裂刷新的
最后的/第一个完整的刷新周期内必须TNS / tSN要从做自刷新前/后，
上TNS的条件
≤
16毫秒和tSN要从
≤
16毫秒。
t
SN
t
NS
自刷新周期
突发刷新
< 64毫秒>
突发刷新
< 64毫秒>
MIT-DS-0072-0.5
三菱
电
( 14 / 25 )
26/Feb./1997
