编程和校验非易失性存储器
内部特征
该TSC80251G2D衍生物的内部非易失性存储器包含五个differ-
耳鼻喉科方面：
EPROM / OTPROM设备
代码存储器
配置字节
锁定位
加密阵列
签名字节
所有的内部非易失性存储器，但TSC87251G2D的精良的标识字节
UCTS由EPROM单元的。的TSC87251G2D产品签名字节
由掩膜ROM 。
该TSC87251G2D产品进行编程，并在同样的方法验证
Atmel的TSC87251G1A ，采用单脉冲算法，在该节目
V
PP
=使用12.75V每个字节只有一个100μs的脉冲。这导致了一个编程时间
小于10秒的32千字节的片上程序存储器。
的TSC87251G2D产品在窗口封装的EPROM擦除是由超超
紫外线辐射
(1)
（UV）的。紫外线擦除将所有的EPROM存储器单元之一，并允许
重新编程。石英窗必须覆盖有不透明的标签
(2)
当
设备在操作。这与其说是保护EPROM阵列免受意外
擦除，以保护RAM和其他片上逻辑电路。使光照射在
器件工作期间硅芯片可能引起逻辑故障。
该TSC87251G2D产品在塑料包是一次性可编程（ OTP ） 。
一个EPROM细胞不能被编程一次为零紫外线进行复位。
注意事项：
1.推荐的擦除过程是暴露于紫外光（ 2537埃）至
至少20瓦特秒/平方厘米的积分剂量
2
。暴露的EPROM紫外
12000微瓦/平方厘米的灯
2
等级30分钟就足够了。
2.擦除EPROM中的开始发生，当芯片被暴露于光的波长
比4000更短。由于阳光和荧光灯具有波长在这
范围，暴露于这些光源在一个延长的时间（1个星期在阳光或3
多年的房间级荧光灯）可能会导致意外的删除。
MASK ROM设备
TSC83251G2D产品的所有的内部非易失性存储器制成的掩模ROM
细胞。它们只能由用户进行验证，使用相同的算法作为
EPROM / OTPROM设备。
该TSC80251G2D产品不包括片上配置字节代码存储器
和加密阵列。他们只包括由掩膜ROM细胞的签名字节
这可以使用相同的算法对EPROM / OTPROM设备来读取。
在一些微控制器的应用中，期望的是，用户的程序代码是
未经授权的访问安全。该TSC83251G2D和TSC87251G2D提供两种
种保护存储在芯片上的阵列程序代码：
在片上程序存储器的程序代码时，读出加密
如果验证的加密阵列isprogrammed 。
三级锁位系统限制外部访问片内程序存储器。
无ROM器件
安全功能
40
AT/TSC8x251G2D
4135D–8051–08/05
