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特点
16兆位（ X16 ），闪存和4兆位的SRAM
2.7V至3.3V工作电压
较低的工作功耗
- 64 mA工作电流（最大）
- 35 μA待机电流（最大）
工业温度范围
FL灰
2.7V至3.3V的读/写
访问时间 - 70纳秒， 90纳秒
扇区擦除架构
- 三十一32K字（ 64K字节）部门与独立的写锁定
- 八4K字（ 8K字节）部门与独立的写锁定
快字编程时间 - 12微秒
暂停/恢复功能的擦除和编程
- 支持读取和编程的任何部门，暂停的擦除
不同的行业
- 支持读取任何一个字，暂停的任何其他字编程
低功耗工作
- 12毫安活动
- 13 μA待机
数据轮询，触发位，就绪/忙的检测程序结束
VPP引脚为写保护和加速编程/擦除操作
RESET输入的设备初始化
部门锁定支持
顶部/底部引导块配置
128位注册保护
最少100,000次擦写循环
16-megabit
闪存+
4-megabit
SRAM堆栈
内存
AT52BR1664A
AT52BR1664AT
SRAM
4兆位（ 256K ×16 ）
2.7V至3.3V的V
CC
工作电压
70 ns访问时间
完全静态的操作和三态输出
1.2V （最小值）数据保留
设备号
AT52BR1664A(T)
闪存配置
16M （ 1M ×16 ）
SRAM配置
4M （ 256K ×16 ）
牧师3361C - STKD - 1/04
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