RDY / BUSY ：
对于16兆位闪存，一个开漏READY / BUSY输出引脚提供了另一种
一种检测方案或擦除操作的结束的方法。 RDY / BUSY积极拉低
在内部编程和擦除周期和释放在完成周期。
开漏连接允许或搭售的几台设备，以相同的RDY / BUSY
线。请参阅“状态位表”第13页了解更多详情。
硬件数据保护：
硬件数据保护功能，可以防止
通过以下方式无意方案的设备：（1 ）V
CC
意义：若V
CC
低于1.8V
（典型的），程序功能被抑制。 （二）V
CC
上电延时：一旦V
CC
已到达
V
CC
层次感，设备会自动超时编程前10毫秒（典型值） 。 （ C）
编程禁止：保持OE为低电平，CE高或WE高抑制方案周期中的任何一个。 （四）
编程禁止： V
PP
小于V
ILPP
。 （五）V
PP
上电延时：一旦V
PP
已经达到1.65V ，
编程和擦除操作被禁止为100毫微秒。
输入电平：
同时，采用2.7V至3.3V电源供电，地址输入和操作
控制输入端（OE ， CE和WE）可被驱动为0 5.5V ，而不会不利影响
该装置的操作。该I / O线，只能被驱动为0至V
CC
+ 0.6V.
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AT52BR1664A(T)
3361C–STKD–1/04
