16 - Mbit的PSRAM
描述
该装置是一个16兆位1T / 1C PSRAM由高速运行和超低特色
功耗。 16兆位器件采用一个晶体管存储单元和是奥尔加
由16位认列之为1,048,576字。它工作在高温的扩展范围
并支持宽工作电压范围。该器件还支持深加电
关闭模式的超低待机电流。
CMOS工艺技术
1M ×16位的组织
TTL兼容和三态输出
深度掉电：存储单元数据保持无效
通过LB ， UB数据屏蔽功能
功率耗散（最大）
模式
与CS1
UB ， LB ：吨
OE(1)
(I
SB1
)
85 A
(I
DPD
)
10 A
(I
CC2
)
25毫安
特点
产品
16-Mbit
PSRAM
电压
[V]
2.7 ~ 3.1
速度
t
RC
[ NS ]
70
温度。
[°C]
-30 ~ 85
注意：
1. t
OE
- UB ， LB =高：输出禁止。
框图
A0
行解码器
SENSE AMP
I/O1
COLUMN
解码器
数据I / O缓存
PRE解码器
添加输入缓冲器
I/O8
I/O9
存储阵列
1,024K ×16
写入驱动器
块
解码器
I/O16
A19
CS1
CS2
PSWE
西班牙工人社会党
LB
UB
控制
逻辑
26
AT52BC6402A(T)
3441B–STKD–11/04
