ATL25系列
单元库
Atmel的ATL25系列ASIC利用广泛的细胞结构库，包括逻辑
细胞，缓冲器和反相器，多路复用器，解码器和I / O选择。软宏也
可用。
在晶体管级，这些细胞的特征在于使用的SPICE模型的，与perfor-
曼斯验证的制造测试芯片。超过额定进行表征
温度和电压范围内，以确保模拟准确预测perfor-
曼斯成品。
绝对最大额定值*
参数
工作环境温度
储存温度
最大输入Volutage ：
输入
3.3V标准
3.3V / 5V容限
最大工作电压（V
DD
)
最大工作电压（V
DD3
)
注意：
等级
55°C
至+ 125°C
65°C
至+ 150°C
V
DD
+ 0.5V
V
DD3
+ 0.5V
5.5V
2.7V
3.6V
*超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个压力只有额定值。该器件在这些或任何功能操作
超越那些在业务部门所标明的其他条件本规范不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
表4 。
2.5伏的直流特性
适用在推荐的工作温度和电压范围内，除非另有说明。
符号
T
A
V
DD
I
IH
I
IL
I
OZ
I
OS
V
IH
V
IL
V
HYS
V
OH
V
OL
注意：
参数
工作温度
电源电压
高层次的输入电流
低电平输入电流
高阻抗状态
输出电流
输出短路
当前
高电平输入电压
低电平输入电压
迟滞
高电平的输出
电压（标准版和
宽容
低电平输出电压
（标准和容错）
所有I / O 2.5V标准
卜FF器
所有
所有
CMOS
CMOS
V
IN
= V
DD
, V
DD
= V
DD
（最大）
V
IN
= V
SS
, V
DD
= V
DD
（最大）
拉= 620 KΩ
V
IN
= V
DD
或V
SS
,
V
DD
= V
DD
（最大） ，
没有上拉或下拉
V
OUT
= V
DD
, V
DD
= V
DD
（最大）
V
OUT
= V
SS
, V
DD
= V
DD
（最大）
0.7V
DD
0.7V
DD
1.3
0.3V
DD
1.1
0.4
I
OH
= 2毫安， V
DD
= V
DD
（最大）
I
OH
= 2毫安
I
OL
= 2毫安， V
DD
= V
DD
（最大）
0.7V
DD
0.7V
DD
0.3V
DD
V
0.3V
DD
10
10
6
4
10
测试条件
民
55
2.3
2.5
典型值
最大
125
2.7
10
单位
°C
V
A
A
所有
PO11
PO11
CMOS
CMOS施密特
CMOS
CMOS施密特
CMOS施密特
PO11
3.3V宽容
PO11
A
mA
V
V
V
V
10
ATL25系列ASIC
1414C–ASIC-08/02
