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奥斯汀半导体公司
芯片擦除命令
芯片擦除是六总线周期的命令序列。第一
3总线周期将设备插入擦除设置状态。该
接下来的两个总线周期解锁擦除模式。第六总线周期
加载芯片擦除命令。此命令序列
需要，以确保存储器中的内容也不会被擦除
偶然。的WE \\上升沿启动芯片擦除OP-
累加器。在写入设备的任何进一步的命令
芯片擦除操作将被忽略。
嵌入式芯片擦除功能可自动提供
编程和验证所有的存储器所需电压和时序
之前的电擦除单元。然后，它会删除并验证电池
自动保证金。编程的用户不需要
存储器单元在擦除之前。该设备的过程中的地位
自动芯片擦除操作可以完井监视
对您使用的数据查询功能。看到"operation status"
一节完整的说明。
扇区擦除命令
扇区擦除是六总线周期的命令序列。该
前三个总线周期将设备插入擦除设置状态。
接下来的两个总线周期解锁擦除模式。第六巴士
循环加载扇区擦除命令和扇区地址
位置将被擦除。内的任何期望的地址位置
扇区都可以使用。该地址被锁存在下降沿
我们的优势在第六总线周期\\ 。 100毫秒的延迟之后
从上升沿WE \\中，扇区擦除操作开始
在选定的来源。
扇区可被选择为在同时擦除
扇区擦除命令序列。每增加节
器选择擦除，另外总线周期发出。公交车
循环加载下一个扇区的地址位置和所述具有部门
擦除命令。前面的总线的端部之间的时间
周期和下一个总线周期的开始必须小于100
MS-其他明智的，新的扇区位置没有加载。一时间
从最后一个WE \\的上升沿延迟为100毫秒启动
扇区擦除操作。如果有一个下降沿的WE \\内
该100毫秒的时间延迟时，定时器被复位。
一至八个扇区的地址位置可以在任何被加载
顺序。延时定时器的状态可以使用被监控
扇区擦除延迟指标（ DQ3 ） 。如果DQ3是逻辑低时，时间
延迟还没有过期。请参阅完整的“运行状态”
说明。
比擦除暂停（ B0 ）或部门以外的任何命令
擦除（ 30 ）写入设备的扇区擦除操作时
化使设备退出扇区擦除模式。 CON组
选择擦除扇区（S ）的帐篷是无效的。的COM
完整的扇区擦除操作，重新发出扇区擦除的COM
命令。
AS8F512K32
嵌入式扇区擦除功能自动
提供电压，编程和验证所有需要计时
前电擦除和再擦除和存储单元
自动验证该电池余量。用户不需要
编程擦除之前存储单元。的状态
自动扇区擦除操作过程中装置可以是MONI-
tored使用数据轮询功能或切换完成
位功能。看到"operation status"部分全额DE-
scription 。
擦除暂停命令
扇区擦除操作可通过使用擦除被中断
暂停命令（ B 0 ）中，为了从一个不变的读数据
该设备的部门。擦除暂停是一个总线周期的COM
命令。这些地址可以是VIL或VIH和擦除暂停
命令（ B0 ）被锁定在上升沿WE \\ 。一旦
扇区擦除操作过程中，所述擦除挂起的COM
命令要求内部写状态机停止运转
在预定的破发点。在擦除暂停命令
仅在该扇区擦除操作有效，并且是唯一的有效
在字节编程和芯片擦除操作。该
扇区擦除延时定时器超时后，如果立即擦除，可持
挂起命令发出时的延迟是有效的。
擦除暂停发出后，该装置之间需
0.1毫秒和15毫秒的暂停操作。切换位必须
进行监测，以确定何时暂停已EX-
ecuted 。当触发位停止触发，可以将数据读出
在未选择擦除扇区。请参阅“操作
状态“一节完整的定义。从一扇区读出
标记为擦除可能导致无效的数据。
一旦该扇区擦除操作被暂停，还
在擦除暂停命令写入被忽略。所有的COM
普通话以外擦除暂停（ B0 ）或擦除恢复（ 30H ）
在擦除暂停模式的原因写入设备
该设备退出挂起模式。要完成以部门
擦除操作，重新发出扇区擦除命令序列。
擦除恢复命令
在擦除恢复命令（ 30H ），重新启动暂停
从那里被叫停完成扇区擦除操作。
擦除恢复是一个总线周期命令。该地址可以
是VIL或VIH和擦除恢复命令（ 30H ）被锁定
关于上升沿WE \\ 。当擦除暂停/使用擦除
恢复命令组合写入，内部脉冲
计数器（超过时间限制）复位。在擦除恢复的COM
命令只适用于擦除暂停状态。在使用擦除后
恢复命令执行时，设备返回到有效
扇区擦除状态的擦除恢复再写入的COM
要求主要被忽略。之后，该设备已经恢复了以部门
擦除操作，可以发出另一个擦除恢复命令
到设备。
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