APM2307
典型特征
导通电阻与栅极至源极电压
0.5
-I
D
=3A
导通电阻与结温
2.00
-V
GS
=10V
-I
D
=3A
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
0.4
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
（归一化）
0
2
4
6
8
10
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.3
0.2
0.1
0.0
0.00
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
-V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
T
J
- 结温（ ° C）
栅极电荷
10
800
700
-V
DS
=10V
9
-I
D
=3A
电容
-V
GS
-Gate - 源极电压（ V）
8
电容（pF）
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
600
500
400
300
200
100
0
0
5
10
15
西塞
科斯
CRSS
20
25
30
Q
G
- 栅极电荷（ NC）
-V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
版权
茂达电子股份有限公司
A.3牧师 - 六月， 2003
4
www.anpec.com.tw
