2002年8月
AO3410
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
该AO3410采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和
操作与栅极电压可低至1.8V ，并为
高达12V 。此装置适合于用作负载
开关或PWM应用。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 5.8 A
R
DS （ ON）
< 28mΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 33mΩ （V
GS
= 4.5V)
R
DS （ ON）
< 52mΩ （V
GS
= 2.5V)
R
DS （ ON）
< 70mΩ （V
GS
= 1.8V)
TO-236
(SOT-23)
顶视图
G
D
S
G
D
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
A
B
最大
30
±12
5.8
4.9
30
1.4
1
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
65
85
43
最大
90
125
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
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