位置：首页 > IC型号导航 > 首字符J型号页 > 首字符J的型号第285页 > JANHCB1N5550 > JANHCB1N5550 PDF资料 > JANHCB1N5550 PDF资料1第20页
MIL-PRF-19500/420H
*表二。 E组检验（所有的质量等级）资质和重新鉴定只有 - 续。
检查
MIL-STD-750
采样
计划
法
*小组8
反向峰值功率
条件
参见4.5.5于此。反向峰值功率（P
RM
） =应
特点是供应商，该数据应是可用
给政府。试验应在每个小批进行。
在P
RM
测试中，电压（V
BR
）进行监测，以
验证它没有崩溃。任何崩溃V
BR
期间或
在P后，
RM
测试或上升的漏电流（I
R
）测试后
超过我
R1
在表中我将被认为是失败的
磷肥水平
RM
。逐步提高水平的P
RM
将
可以应用到故障发生在内部的所有设备
选择的样本量来表征每个小批。
n = 45
1057
通过增加循环或至多一个步骤应力破坏
最大的25个循环。
22设备
c=0
4066
I
FSM
= 80 A（ PK） ; 10浪涌的每8.3毫秒1分钟
间隔，重叠在我
O
= 2将直流; V
RWM
=额定V
RWM
（见第3栏1.3 ） 。牛逼
A
= +100°C.
见表Ⅰ，子组2和表III本文。
电测
小组9 1 /
耐玻璃
破解
*小组10
正向浪涌
电测
1 /这一步的应力要求的样本量应当由供应商来决定。统计学显著
样本大小是必需的。
20
