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最终科幻
Am27C010
1兆位（ 128千×8位） CMOS EPROM
特色鲜明
s
快速访问时间
- 速度选择快45纳秒
s
低功耗
- 20 μA典型的CMOS待机电流
s
JEDEC批准的引脚排列
s
采用+5 V单电源
s
±10%
电源公差标准
s
100 ％ Flashrite 编程
- 16秒典型的编程时间
s
闩锁保护的100毫安-1 V至
V
CC
+ 1 V
s
高噪声抗扰度
s
丰富的功能，简单的接口
- CMOS和TTL输入/输出的兼容性
- 两线控制功能
s
标准的32引脚DIP ， PDIP和PLCC封装
概述
该Am27C010是1兆位，紫外线可擦亲
可编程只读存储器。它是作为128K
每字8位的话，采用单+ 5V
供应，有一个静态待机模式，并具有快速
单一地址位置编程。产品是
可在窗口陶瓷DIP封装，以及
塑料一次性可编程（ OTP）和PDIP
PLCC封装。
数据可以在小于45纳秒典型地访问， AL-
降脂高性能微处理器操作
没有任何等待状态。该器件提供独立的
输出使能（ OE ＃）和芯片使能（ CE ＃ ）控制，
从而消除了总线争用的多总线微
处理器系统。
AMD的CMOS工艺技术提供了高
速度快，低功耗和高抗噪性。典型
功耗仅为100毫瓦在主动模式下，
和100微瓦的待机模式。
所有的信号是TTL电平，包括编程显
良。位的位置可以单独编程，在
块，或者是随机的。该器件支持AMD的
Flashrite规划算法（ 100微秒脉冲） ，再
质保的义务在16秒的典型编程时间。
框图
V
CC
V
SS
V
PP
OE ＃
CE＃
PGM ＃
OUTPUT ENABLE
芯片使能
和
PROG逻辑
Y
解码器
A0–A16
地址
输入
产量
缓冲器
数据输出
DQ0–DQ7
Y
门
X
解码器
1,048,576
位单元
矩阵
10205I-1
出版＃
10205
启：
I
发行日期：
1999年4月26日
Amendment/0
