位置:首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第881页 > EBD51RC4AKFA-6B > EBD51RC4AKFA-6B PDF资料 > EBD51RC4AKFA-6B PDF资料1第11页

EBD51RC4AKFA
直流特性1 ( TA = 0 + 70 ° C, VDD = 2.5V ± 0.2V , VSS = 0V )
参数
工作电流( ACTV - PRE )
工作电流
( ACTV - READ - PRE )
符号
IDD0
IDD1
GRADE
-6B
-7A , -7B
-6B
-7A , -7B
-6B
-7A , -7B
-6B
-7A , -7B
-6B
-7A , -7B
-6B
-7A , -7B
-6B
-7A , -7B
-6B
-7A , -7B
-6B
-7A , -7B
马克斯。
2190
2010
2640
2370
444
840
750
750
714
750
714
1380
1290
3450
3090
3630
3270
3450
3360
444
-6B
-7A , -7B
6150
5250
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
测试条件
CKE
≥
VIH ,
的tRC =的tRC (分钟)
CKE
≥
VIH ,BL = 4,
CL = 3.5 ,的tRC =的tRC (分钟)
CKE
≤
VIL
CKE
≥
VIH , / CS
≥
VIH ,
DQ , DQS , DM = VREF
CKE
≥
VIH , / CS
≥
VIH ,
DQ , DQS , DM = VREF
CKE
≤
VIL
CKE
≥
VIH , / CS
≥
VIH
tRAS的= tRAS的(最大)
CKE
≥
VIH ,BL = 2,
CL = 3.5
CKE
≥
VIH ,BL = 2,
CL = 3.5
tRFC = tRFC (分钟) ,
输入
≤
VIL或
≥
VIH
输入
≥
VDD - 0.2 V
输入
≤
0.2 V
BL = 4
笔记
1, 2, 9
1, 2, 5
4
4, 5
4, 10
3
3, 5, 6
1, 2, 5, 6
1, 2, 5, 6
闲置功耗降低待机电流IDD2P
浮动空闲待机电流
安静的空闲待机电流
主动关闭电源待机
当前
主动待机电流
工作电流
(突发读取操作)
工作电流
(突发写操作)
自动刷新当前
自刷新电流
工作电流
( 4银行交织)
IDD2F
IDD2Q
IDD3P
IDD3N
IDD4R
IDD4W
IDD5
IDD6
IDD7A
1, 5, 6, 7
注释。 1.这些IDD数据条件下, DQ引脚没有连接下测得的。
2.一家银行的操作。
3.一家银行主动。
4.所有的银行闲置。
5.命令/地址转换一次每一个周期。
6. DQ , DM和DQS过渡两次每次一个周期。
7.4银行主动。只有一个银行的的tRC = tRC的运行(分钟)
8.在该表上的IDD数据测量关于TCK = TCK (分钟)的总称。
9.命令/地址过渡每隔2个时钟周期。
10.命令/地址稳定在
≥
VIH或
≤
VIL 。
直流特性2 ( TA = 0 + 70 ° C, VDD和VDDQ = 2.5V ± 0.2V , VSS = 0V )
( DDR SDRAM组件规格)
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电流
输出低电流
符号
ILI
国际劳工组织
IOH
IOL
分钟。
–2
–5
–15.2
15.2
马克斯。
2
5
—
—
单位
A
A
mA
mA
测试条件
VDD
≥
VIN
≥
VSS
VDDQ
≥
VOUT
≥
VSS
VOUT = 1.95V
VOUT = 0.35V
笔记
数据表E0377E20 (版本2.0 )
11