½ Watt, High Linearity InGaP HBT Amplifier
AH115 / ECP050G
2140兆赫
14.4分贝
-23分贝
-8分贝
28.5 dBm的
+42 dBm的
+20 dBm的
5.3分贝
+5 V
250毫安
PORT
P=1
Z = 50欧姆
通信EDGE
TM
产品信息
2140 MHz的应用电路（ AH115 - S8PCB2140 ）
在25qC典型的RF性能
频率
S21 - 增益
S11 - 输入回波损耗
S22 - 输出回波损耗
输出P1dB为
输出IP3
（ +11 dBm的/音， 1 MHz的间距）
（ @ -45 dBc的ACLR ）
水库
ID = R1
R = 100欧姆
水库
ID=R4
R = 0欧姆
VCC = + 5V
D1 = 5.6 V
帽
ID = C 4
C =千万pF的
帽
ID=C7
C = 1000 pF的
AP
ID = C 6
C = 10 pF的
水库
ID=R2
R = 22欧姆
帽
ID=C5
C = 1000 pF的
水库
ID=R3
R = 51欧姆
帽
ID=C1
C = 22 pF的
SUBCKT
NET="AH115"
1
2
3
5
6
7
8
IND
ID=L1
L = 18 nH的
PORT
P=2
Z = 50欧姆
W- CDMA信道功率
噪声系数
设备/电源电压
静态电流
帽
ID = C2
C = 22 pF的
4
TLINP
ID=FR-1
Z0 = 50欧姆
L = 160万
Eeff=3.16
Loss=0
F0 = 0兆赫
帽
ID = C9
C = 1.8 pF的
帽
ID=C3
C = 100 pF的
C9被放置在放置在13 ℃下的丝印标志'3'或部件的中心。 @ 2140
兆赫远离引脚6 。
S21与频率
16
14
S11（ dB）的
S21 （ dB）的
S11与频率
0
-5
-10
-15
-20
-25
2110
+25°C
+85°C
S22 （ dB）的
S22与频率
0
-5
-10
-15
-20
-25
2110
+25°C
+85°C
-40°C
2120
2130
2140
2150
2160
2170
12
10
8
6
2110
+25°C
+85°C
-40°C
2120
2130
2140
2150
2160
2170
-40°C
2120
2130
2140
2150
2160
2170
频率（MHz）
频率（MHz）
3GPP W- CDMA试验模型1 + 64 DPCH ，± 5 MHz偏移， 2140兆赫
频率（MHz）
噪声系数与频率的关系
8
7
6
ACPR （ DBC）
ACPR与信道功率
P1 dB对频率
30
28
P1的分贝（ dBm的）
-35
-40
-45
-50
-55
-60
-65
+25°C
+85°C
-40°C
NF（ dB）的
5
4
3
2
1
0
2110
2120
+ 25°C
+85°C
-40°C
2130
2140
2150
2160
2170
26
24
22
+25°C
+85°C
-40°C
2120
2130
2140
2150
2160
2170
15
16
17
18
19
20
21
20
2110
频率（MHz）
输出信道功率（dBm ）
频率（MHz）
OIP3与频率的关系
+ 25 ° C， +11 dBm的/音
频率。 = 2140 ， 2141 ，+ 11 dBm的/音
OIP3与温度的关系
OIP3与输出功率
45
43
OIP3 （ dBm的）
45
43
OIP3 （ dBm的）
OIP3 （ dBm的）
45
43
41
39
37
35
频率。 = 2140 ， 2141兆赫， 25 °
C
41
39
37
35
2110
41
39
37
35
2120
2130 2140 2150
频率（MHz）
2160
2170
-40
-15
10
35
温度（℃）
60
85
6
8
10
12
14
16
18
20
输出功率（dBm ）
规格和信息如有变更，恕不另行通知
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第4 7
2005年5月
