初步的技术数据
ADT7316/7317/7318
内部和外部的温度传感器作为其周期
通过所有可能的测量通道。这两个温
perature通道各部分运行时间测量
循环赛序列。在循环赛模式的一部分
continously测量。
V
DD
监测
6 V
6.5 V
7 V
片内基准
11 0110 1101
11 1011 0110
11 1111 1111
36D
3B6
3FF
该ADT7316 / 17/ 18还具有监控能力
它自己的电源。部分测量的电压
它的V
DD
PIN码以10位的分辨率。所得到的值
存储在两个8位寄存器，两个LSB存放在
寄存器地址03H和八个MSB存储在
寄存器地址06H 。这允许用户在具有了选购
只是做了一个字节化阅读，如果10位的分辨率不
非常重要的。所测量的结果是在V相
高
和V
低
极限。如果在V
DD
中断不被屏蔽掉
那么任何超限比较生成接口的标志
中断状态寄存器2和一个或多个外的界限结果
将导致中断输出拉为高电平或
低因输出极性设置。
测量在V的电压
DD
销被视为MONI-
toring一个信道。因此，伴随着内部和
外部温度传感器的V
DD
电压拼成
第三个和最后的监测通道。您可以选择
V
DD
通道单通道测量通过置位
C4 = 1并设定位0至位2到全0的控制
CON组fi guration 2寄存器。
当测量在V
DD
重视对ADC的基准
从内部参考源。表2示出
数据格式。由于MAX V
CC
可测量电压为7 V ，
内部缩放在V进行
CC
电压匹配
在2.25V内部基准值。下面是示例
如何传递函数的工作原理。
V
DD
= 5 V
ADC参考= 2.25 V
1 LSB = ADC参考/ 2 ^ 10 = 2.25 / 1024 =
2.197mV
规模因子=满刻度V
CC
/ ADC参考= 7 / 2.25
= 3.11
转换结果= V
DD
/ （ （ 7 /比例系数）× LSB大小）
= 5 / （ 3.11 X 2.197mV ）
= 2DBh
表2. V
DD
数据格式，V
REF
= 2.25V
该ADT7316 / 17/ 18具有一个片上1.2 V带隙
这是由开关电容上午获得高达refernece
plifier给予2.25 V的输出放大器是唯一的
接通电源后，在转换阶段的开始，是
断电时转换结束。上电时
缺省模式是已经内部参考选择作为
基准的DAC和ADC 。该内部参考
测量内部和EX- ENCE时，总是使用
产品内部温度传感器。
循环赛测量
上电时的ADT7316 /一十八分之十七进入循环赛
模式，但监控被禁用。设置CON-的位C0
配置寄存器1到1使转换。它SE-
quences通过三种途径Ⅴ的
DD
，内部
温度传感器和外部温度传感器和
需要测量每个。在待定毫秒的间隔
另一个测量周期上的所有三个信进行
内尔斯。采取测量所有三个这种方法
在一个周期内的通道被称为循环赛。设置第4位
控制配置2 （地址19H）禁用
轮循方式，进而设置了单一信道
模式。在单通道模式是其中仅一个信
NEL ，例如。内部温度传感器，测量在每个
转换周期。
所花费的时间来监测所有通道将通常不
有兴趣，因为最近测量的值可以是
随时读取。
对于应用程序，轮循时间一点很
坦，它可以很容易地计算出来。
如前面提到的在每个温度下的转化
渠道需要25我们和在V
DD
渠道需要15我们。
每个通道的测量16次，并在内部平均值
老化，以减少噪声。
总循环时间为电压和温度通道
因此，名义上是：
（2 ×16× 25 ）+ （16× 15） = 1.04毫秒
单信道测量
V
DD
价值
数字输出
二进制
（十六进制）
16E
1B7
200
249
292
2DB
324
2.5 V
3 V
3.5 V
4 V
4.5 V
5 V
5.5 V
牧师PRN
01 0110 1110
01 1011 0111
10 0000 0000
10 0100 1001
10 1001 0010
10 1101 1011
11 0010 0100
控制组态的设定C4 2寄存器使能
单通道模式，并允许ADT7316 / 17/ 18
集中于只有一个信道。信道选择通过写
荷兰国际集团以位0 ： 2的寄存器控制配置寄存器2
之三。例如，要选择在V
DD
通道监控
写入控制配置2寄存器，设置C4
1 （如果不是这样做的话） ，然后写全0至位0到
2 。所有后续的转换结果将在V做
DD
渠道而已。改变信道选择，以在 -
产品内部温度通道，写入控制组态
日粮2寄存器并设置C0 = 1。当测量
单通道模式有待定我们为─的时间延迟
补间每次测量。的测量也开始
之后每次读或写操作。
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