初步的技术数据
ADE7752
时序特性
参数
t
13
t
2
t
3
t
43, 4
t
5
t
6
275
请参阅表三
1/2 t
2
90
见表4
CLKIN/4
1, 2
(V
DD
= 5 V
5 ％ ， AGND = DGND = 0 V ，片内基准， CLKIN = 10 MHz时，
T
民
给T
最大
= -40°C至+ 85°C ）
测试条件/评论
F1和F2脉宽（逻辑高电平）
输出脉冲周期。见传递函数
F1下降沿到F2下降沿之间的时间
CF脉冲宽度（逻辑高电平）
CF脉冲周期。见传递函数
间F1和F2的最小脉冲时间
单位
ms
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
ms
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
笔记
1
在最初发布的任何重新设计或工艺变更可能会影响该参数后的样品进行测试。
2
参见图1 。
3
F 1， F 2和CF的脉冲宽度不是固定的更高的输出频率。见频率输出部分。
4
在CF脉冲始终为1微秒，在高频模式。见频率输出部分和表四。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
t1
订购指南
F1
t6
t2
模型
包装说明
封装选项
R-24
F2
t4
CF
t3
t5
ADE7752AR
SOIC封装
EVAL- ADE7752EB ADE7752评价
板
图1.时序图频率输出
REV 。 PRB 08/01
3–
