晶闸管器件的V-I特性
+I
电压降（V
T
）在
指定的电流（ⅰ
T
)
+I
I
T
擎住电流（I
L
)
I
H
关闭状态漏泄
电流 - （我
DRM ）
at
特定网络版V
DRM
最低持有
电流（I
H
)
R
S
I
S
I
DRM
I
BO
+V
V
BO
V
S
V
DRM
-V
+V
-V
规定的最小
关闭状态
闭塞
电压（V
DRM
)
R
S =
(V
BO
- V
S
)
(I
S
- I
BO
)
V
T
-I
三端双向可控硅装置的V-I特性
转折
电压
-I
SIDAC器件具有负阻特性VI
+I
+I
电压降（V
T
）在
指定的电流（ⅰ
T
)
10毫安
擎住电流（I
L
)
V
反向漏
电流 - （我
RRM
）在
特定网络版V
RRM
关 - 状态漏泄
电流 - （我
DRM
）在
特定网络版V
DRM
最低持有
电流（I
H
)
转折
当前
I
BO
-V
+V
-V
+V
规定的最小
反向阻断
电压（V
RRM
)
规定的最小
关 - 国家
闭塞
电压（V
DRM
)
转折
电压
V
BO
反向
击穿
电压
-I
前锋
转折
电压
-I
可控硅装置的V-I特性
双侧触发端交流开关元件的V-I特性
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E0 - 2
2002年的Teccor电子
晶闸管产品目录
