HIN202A通HIN241A
典型性能曲线
12
电源电压（ | V | ）
0.1F
10
8
6
4
2
0
3.0
10
8
6
4
2
0
V- (V
CC
= 4V)
T
A
= 25
o
C
发送器输出
开路
0
5
10
15
20
25
V+ (V
CC
= 5V)
12
V-电压（V ）
V+ (V
CC
= 4V)
V- (V
CC
= 5V)
30
35
3.5
4.0
4.5
V
CC
5.0
5.5
6.0
|I
负载
| （毫安）
图9. V-电源电压V S V
CC
图10. V + ， V-输出电压与负载
模具特点
DIE尺寸：
160密耳X 140密耳
金属化：
类型：铝
厚度： 10K
±1k
衬底电位
V+
钝化：
类型：氮化物超过SILOX
氮化物厚度： 8K
二氧化硅层厚度： 7K
晶体管数量：
238
过程：
CMOS金属门
金属掩模布局
HIN241A
SHD
EN
R4
IN
R4
列于
R5
OUT
T4 T3
R5
IN
R3
OUT
V-
C2-
R3
IN
T4
OUT
T3
OUT
C1-
T1
OUT
T2
OUT
V+
C1+
C2+
R2
IN
R2
OUT IN
T1
IN
R1
OUT
T2
R1
IN
GND
V
CC
3-16
