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M29F800AT ， M29F800AB
礼服输入。地址输入被锁定
片上的下降沿命令接口
启用或写使能，最后以先到为准。
数据输入/输出由COM的锁存
命令接口的芯片的上升沿启动
或写使能，以先到为准。输出恩
能必须维持在高位，V
IH
，整辆巴士中
写操作。参见图8和9中，收件交流
波形，以及表12和表13中，收件交流
特点，关于定时的细节要求一
求。
输出禁用。
数据输入/输出的
当输出使能高阻抗状态
高，V
IH
.
待机。
当芯片使能为高，V
IH
中，
数据输入/输出引脚置于高
阻抗状态，电源电流为重
缩小以待机水平。
当芯片使能为V
IH
供电电流
沦落到TTL待机电流，我
CC2
.
为了进一步降低电源电流的CMOS
待机电源电流，我
CC3
，芯片使能应
在V举行
CC
±
0.2V 。对于待机电流
水平见表10 ，直流特性。
在编程或擦除操作内存
将继续使用编程/擦除供应
目前，我
CC4
，对于编程或擦除操作非
直到操作完成。
自动待机。
如果CMOS电平（V
CC
±
0.2V)
被用来驱动总线和总线处于非活动状态
为150ns或更多的存储器进入自动
待机状态，内部电源电流为重
缩小以在CMOS待机电流，我
CC3
.
数据输入/输出仍然会输出数据，如果
总线读操作正在进行中。
特别巴士运营
附加的总线操作可以被执行以
阅读电子签名，也适用
和删除块保护。这些总线操作
系统蒸发散是专供编程使用的分析装备
精神疾病，而且通常不会在应用程序中使用。
他们需要V
ID
要应用到一些引脚。
电子签名。
该存储器具有两个
码，制造商代码和装置
码，可以读取，以确定存储器中。
这些代码可以通过施加的信号被读
在表4A和4B中，总线操作列出。
块保护
和
块unprotection的。
每
块可分别防止邮轮业咨询委员会
牙科编程或擦除。受保护的块可以是
未受保护的，以允许数据被改变。块
保护和块操作unprotection的
只能在节目进行分析装备
换货。
欲了解更多信息，请参考应用笔记
AN1122 ，运用和保护，以unprotection的
M29系列闪存。
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命令接口
所有的总线写操作的存储器接口
通过命令接口preted 。命令
由一个或多个连续的总线写能操作
ations 。不遵守公交车的有效序列
写操作会导致内存报税表中
荷兰国际集团为读模式。在这种情况下，至少为50ns后，
地址转换或芯片使能会是低
读取正确的数据前必需的。长
命令序列强加最大化
数据的安全性。
用于命令的地址的变化， DE-
未决是否内存在16位或8位
位模式。看到无论是表5A ， 5B或根据
于正被使用的，对于成加法配置
玛丽的命令。
读/复位命令。
读/复位的COM
命令返回内存的读取模式，
它就像一个ROM或EPROM 。它还重置
在状态寄存器中的错误。一个或
3总线写操作可以被用来发布
读/复位命令。
如果在一个发出读/复位命令
块擦除操作或跟随编程
或擦除错误，那么内存会占用到10
s
中止。在中断期间没有有效的数据能够
可以从存储器读出。发出读/复位
一个块擦除操作过程中的命令会
留在存储器中的无效数据。
自动选择命令。
自动选择的COM
命令是用来读取的制造商代码，该
设备代码和块保护状态。
连续三次总线写操作再
引入来发出自动选择命令。一旦
自动选择命令发出的记忆
一直处于自动选择模式，直到其他的COM
命令发出。
从自动选择模式制造商
代码可以使用总线读操作中读取
与A0 = V
IL
和A1 = V
IL
。其他地址位
可被设置在V
IL
或V
IH
。制造商
意法半导体的代码是0020H 。
设备代码可以用总线读来读
操作A0 = V
IH
和A1 = V
IL
。另
地址位可以被设置为V
IL
或V
IH
。该
为M29F800AT器件代码00ECh和
该M29F800AB为0058h 。
每个块的块保护状态可
通过阅读与A0 = V总线读操作
IL
,
A1 = V
IH
和A12 - A18指定的地址
块。其它地址位可以被设置为EI-
疗法V
IL
或V
IH
。若该块被保护
那么01H是数据输入/输出输出DQ0-
DQ7 ，否则00H输出。
程序命令。
该计划的命令
可用于编程的一个值，以1地址
在一个时间的存储器阵列。该命令重
