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M29F800AT ， M29F800AB
表6.程序，擦除时间和程序擦除周期耐力
(T
A
= 0至70℃ ， -40至85℃或-40 125 ℃）下
参数
芯片擦除（在内存中的所有位设置为“0” ）
芯片擦除
块擦除（ 64字节）
程序（字节或字）
芯片计划（逐字节）
芯片方案（一字一句）
编程/擦除周期（每块）
注： 1中。T
A
= 25 ° C，V
CC
= 5V.
民
典型值
(1)
3
8
0.6
8
9
4.5
典型的后
10万W / E循环
(1)
3
8
0.6
8
9
4.5
最大
单位
美国证券交易委员会
30
4
150
35
18
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
s
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
周期
100,000
芯片擦除命令。
芯片擦除的COM
命令可以用于擦除整个芯片。六总线
需要写操作发出的芯片
擦除命令并开始编程/擦除
控制器。
如果任何块被保护，则这些被忽略
和所有其他的块被擦除。如果所有的
块保护芯片擦除操作AP-
梨启动，但会在大约100μs的终止，
留下的数据不变。没有错误的条件是
时给予保护的块将被忽略。
在擦除操作的内存会忽略
所有命令。它不可能发出任何命
命令中止操作。典型芯片擦除
时间在表6中的所有总线读操作给出
芯片擦除操作将输出过程中系统蒸发散
在数据输入/输出的状态寄存器。
看到在状态寄存器中的章节更多
详细信息。
之后，芯片擦除操作已完成
存储器将返回到读模式，除非一个
已发生错误。当发生错误的
内存将继续输出状态雷吉斯 -
之三。读/复位命令必须发出重新
设置错误条件并返回到读取模式。
芯片擦除命令将所有的非对位
存储为'1'的保护的块。历次
数据丢失。
块擦除命令。
块擦除的COM
命令可以用于擦除一个或多个列表
块。六总线写操作都需要
选择列表中的第一个块。每增加
块中的列表中，可通过重复进行选择
使用的地址第六总线写操作
附加块。块擦除操作开始
编程/擦除控制器约后为50μs
去年总线写操作。一旦编程/擦除
控制器启动时，它是不能选择的任何
多个块。因此，每个额外的块必须
的最终数据块的50μs的范围内进行选择。在为50μs
当一个额外的块被选择的定时器重新启动。
状态寄存器可在六后读
总线写操作。见状态寄存器
如何确定是否编程/擦除细节
控制器已经开始了块擦除操作。
如果任何选择的块被保护，那么这些
忽略所有的其它选择的块
删除。如果所有所选择的块中被保护
块擦除操作似乎启动，但会
终止于大约为100μs ，而使数据非
改变了。保护─在没有错误条件给出
ED块将被忽略。
在块擦除操作的内存会
忽略所有的命令，除了擦除挂起
和读/复位命令。典型的块擦除
时间在表6中的所有总线读操作给出
块擦除操作将输出过程中系统蒸发散
在数据输入/输出的状态寄存器。
看到在状态寄存器中的章节更多
详细信息。
之后的块擦除操作已完成
存储器将返回到读模式，除非一个
已发生错误。当发生错误的
内存将继续输出状态雷吉斯 -
之三。读/复位命令必须发出重新
设置错误条件并返回到读取模式。
块擦除命令在所有位
未受保护的选择的块为'1' 。历次
在所选择的块中的数据将丢失。
擦除挂起命令。
擦除挂起
命令可以用于暂停一个
块擦除操作，并返回内存
阅读模式。此命令需要一个巴士
写操作。
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