三菱P沟道功率MOSFET
FY3ABJ-03
高速开关使用
栅源电压
VS.栅极电荷
（典型值）
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
–10
TCH = 25°C
脉冲测试
I
D
= –3A
源极 - 漏极二极管
正向特性
（典型值）
–20
源电流我
S
(A)
V
GS
= 0V
脉冲测试
–8
–16
TC = 25°C
75°C
125°C
–6
V
DS
=
–10V
–20V
–25V
–12
–4
–8
–2
–4
0
0
8
16
24
32
40
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
栅极电荷q
g
（ NC ）
源极 - 漏极电压V
SD
(V)
漏源通态电阻R
DS （ ON）
(25°C)
漏源通态电阻R
DS （ ON）
（T ° C）
通态电阻VS.
通道温度
（典型值）
10
1
门极 - 源
电压V
GS （ TH）
(V)
7
5
4
3
2
V
GS
= –10V
I
D
= –3A
脉冲测试
阈值电压 -
通道温度
（典型值）
–2.0
V
DS
= –10V
I
D
= -1mA
–1.6
–1.2
10
0
7
5
4
3
2
–0.8
–0.4
10
–1
–50
0
50
100
150
0
–50
0
50
100
150
沟道温度Tch （ ° C）
沟道温度Tch （ ° C）
瞬态热阻抗Z
第（章-a）的
（ ° C / W）
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
(25°C)
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
（T ° C）
击穿电压VS.
通道温度
（典型值）
1.4
V
GS
= 0V
I
D
= -1mA
瞬态热阻抗
特征
10
2
7
5 D = 1.0
3 0.5
2
10
1
0.2
7
5 0.1
3 0.05
2
1.2
1.0
10
0
7
5
3
2
7
5
3
2
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
tw
T
D
=
tw
T
0.8
0.6
10
–1
0.4
–50
0
50
100
150
10
–2
10
–4
2 3 57
10
–3
2 3 57
10
–2
2 3 57
10
–1
2 3 57
10
0
2 3 57
10
1
2 3 57
10
2
2 3 57
10
3
脉冲宽度t
w
(s)
Sep.1998
沟道温度Tch （ ° C）
