三菱P沟道功率MOSFET
FY3ABJ-03
高速开关使用
导通电压VS.
栅源电压
（典型值）
–5.0
漏极 - 源极导通状态
电阻R
DS （ ON）
(m)
漏极 - 源极导通状态
电压V
DS （ ON）
(V)
TC = 25°C
脉冲测试
通态电阻VS.
漏电流
（典型值）
200
TC = 25°C
脉冲测试
V
GS
= –4V
–4.0
160
–3.0
120
–2.0
I
D
= –24A
80
–10V
–1.0
–6A
–3A
–10A
40
0
–10
–1
–2 –3 –5–7
–10
0
–2 –3 –5–7
–10
1
–2 –3 –5
漏电流I
D
(A)
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
传输特性
（典型值）
–20
TC = 25°C
V
DS
= –10V
脉冲测试
正向转移导纳
与漏电流
（典型值）
10
2
7
5
V
DS
= 10V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
正向传递
导纳
y
fs
(S)
–16
3
2
TC = 25 ℃， 75 ℃， 125 ℃，
–12
10
1
7
5
3
2
V
DS
= –10V
脉冲测试
–8
–4
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
10
0
–5 –7
–10
0
–2 –3
–5 –7
–10
1
–2 –3
–5
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
电容与
漏源电压
（典型值）
3
2
西塞
3
2
开关特性
（典型值）
t
D（关闭）
电容
西塞，科斯，的Crss （PF ）
10
3
7
5
3
2
科斯
CRSS
切换时间（纳秒）
10
0
7
5
3
2
t
f
t
r
t
D（上）
10
–1
7
5
3
2
TCH = 25°C
V
DD
= –15V
V
GS
= –10V
R
根
= R
GS
= 50
10
2
7
5
3
2
V
GS
= 0V
F = 1MH
Z
TCH = 25°C
–5–7
–10
–1
–2 –3 –5–7
–10
0
–2 –3 –5–7
–10
1
–2 –3
10
–2 0
–10
–2 –3
–5 –7
–10
1
–2 –3
–5
漏源电压V
DS
(V)
漏电流I
D
(A)
Sep.1998
