NB100LVEP91
最大额定值
（注2 ）
符号
V
CC
V
EE
V
I
V
OP
I
OUT
I
BB
TA
T
英镑
q
JA
q
JA
q
JC
T
SOL
PECL电源
NECL电源
PECL输入电压
工作电压
输出电流
PECL V
BB
吸入/源
工作温度范围
存储温度范围
热阻（结到环境）
JESD 51-3 （ 1S ，单层测试板）
热阻（结到环境）
JESD 51- 6 （ 2S2P多层测试板）与填充散热孔
热阻（结到外壳）
波峰焊
0 LFPM
500 LFPM
0 LFPM
STD BD
与2至3秒@ 248 ℃下
20 SOIC
20 SOIC
24 QFN
20 SOIC
参数
条件1
GND = 0 V
GND = 0 V
GND = 0 V
GND = 0 V
连续
浪涌
V
I
V
CC
V
CC
- V
EE
条件2
等级
3.8 0
-5.5到0
3.8 0
9.3 0
50
100
±
0.5
-40至+85
-65到+150
90
60
47.3
30至35
265
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
2.最大额定值超出了可能发生的设备损坏这些值。
LVPECL输入直流特性
V
CC
= 2.5 V, V
EE
= -2.375至-5.5 V， GND = 0V （注3 ）
-40
°C
符号
I
CC
V
IH
V
IL
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
电源电流
输入高电压
输入低电压
输入高电压共模范围
（差分） （注4 ）
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
-150
民
10
1335
GND
0
典型值
14
最大
20
V
CC
875
2.5
150
0.5
-150
民
10
1335
GND
0
25°C
典型值
14
最大
20
V
CC
875
2.5
150
0.5
-150
民
10
1275
GND
0
85°C
典型值
14
最大
20
V
CC
875
2.5
150
单位
mA
mV
mV
V
mA
mA
注：设备的设计，以满足上表所示的DC规格，热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和大于500 LFPM保持横向气流。
3.输入参数变化1 ： 1与V
CC
. V
CC
可以改变1.3 V / -0.125 V.
4. V
IHCMR
分不同的1：1 GND。 V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
.
LVPECL输入直流特性
V
CC
= 3.3 V; V
EE
= -2.375 V至-5.5 V ; GND = 0V （注5）
-40
°C
符号
I
CC
V
IH
V
IL
V
BB
V
IHCMR
I
IH
I
IL
特征
V
CC
电源电流
输入高电压（单端）
输入低电压（单端）
输出参考电压（注6 ）
输入高电压共模范围
（差分） （注6 ）
输入高电流
输入低电平电流
D
D
0.5
-150
民
10
2135
GND
1775
0
1875
典型值
16
最大
24
V
CC
1675
1975
3.3
150
0.5
-150
民
10
2135
GND
1775
0
1875
25°C
典型值
16
最大
24
V
CC
1675
1975
3.3
150
0.5
-150
民
10
2135
GND
1775
0
1875
85°C
典型值
16
最大
24
V
CC
1675
1975
3.3
150
单位
mA
mV
mV
mV
V
mA
mA
注：设备的设计，以满足上表所示的DC规格，热平衡建立后。该
电路是在一个测试插座或安装在印刷电路板和大于500 LFPM保持横向气流。
5.输入参数变化1 ： 1与V
CC
. V
CC
可以改变+0.5 / -0.925 V.
6. V
IHCMR
分不同的1：1 GND。 V
IHCMR
最大变化1 ： 1与V
CC
.
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