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TH50VSF3680/3681AASB
SRAM数据保持特性
（大
=
20°~85°C)
符号
V
DH
参数
数据保持电源电压的SRAM
V
DH
=
3.3 V
I
CCS4
SRAM的待机电流
V
DH
=
3.0 V
Ta
= 20~85°C
Ta
= 20~40°C
Ta
= 20~85°C
民
1.5
0
t
RC
(1)
典型值。
最大
3.3
10
1
5
单位
V
A
t
CDR
t
r
芯片取消到数据保留模式时间
恢复时间
ns
ns
（ 1 ）读周期时间
CE1S
-CONTROLLED数据保持方式（见注1 ）
V
CCS
数据保持方式
2.7 V
V
CCS
（见注2 ）
V
IH
CE1S
（见注2 ）
t
r
t
CDR
V
CCS
0.2 V
GND
CE2S控制数据保留模式（见注3 ）
V
CCS
数据保持方式
2.7 V
CE2S
V
IH
t
CDR
t
r
V
CCS
V
IL
0.2 V
GND
注意事项：
(1)
(2)
(3)
在CE1S -Controlled数据保存方式，最低待机电流模式时输入
CE2S
≤
0.2 V或CE2S
≥
V
CCS
0.2 V.
当CE1S运行在V
IH
电平， SRAM的待机电流是相同的，因为我
CCS3
在
V过渡
CCS
2.7 V至2.3 V.
在CE2S控制数据保留模式，最低待机电流模式时输入
CE2S
≤
0.2 V.
2001-03-06 49/55
