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TH50VSF3680/3681AASB
FLASH自动编程操作(WE -CONTROLLED )
地址
555H
t
CMD
2AAH
555H
PA
PA
持续进修基金
OE
t
OEHP
t
OES
t
PPW
WE
D
IN
AAH
55H
A0H
PD
D
OUT
t
VCS
V
CCF
注:图中所示字模式地址。
PA :程序地址
PD :程序数据
高阻
DQ7
D
OUT
AUTO FLASH芯片擦除/ AUTO块擦除操作(WE -CONTROLLED )
地址
555H
t
CMD
2AAH
555H
555H
2AAH
555H/BA
持续进修基金
OE
t
OES
WE
D
IN
t
VCS
V
CCF
AAH
55H
80H
AAH
55H
10H/30H
注:图中所示字模式地址
BA :块地址的自动块擦除操作
2001-03-06 42/55