位置:首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第437页 > TH50VSF3681AASB > TH50VSF3681AASB PDF资料 > TH50VSF3681AASB PDF资料1第22页

TH50VSF3680/3681AASB
AC特性
(快闪记忆体)
读周期
符号
t
RC
t
加
t
CE
t
OE
t
CEE
t
OEE
t
OEH
t
OH
t
DF1
t
DF2
读周期时间
地址访问时间
持续进修基金
存取时间
OE
存取时间
持续进修基金
到输出罗-Z
OE
到输出罗-Z
OE
保持时间
参数
民
90
0
0
0
0
最大
90
90
40
30
30
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
输出数据保持时间
持续进修基金
输出高阻
OE
输出高阻
块保护
符号
t
VPS
t
CESP
t
VPH
t
PPLH
V
ID
建立时间
持续进修基金
建立时间
OE
保持时间
参数
民
4
4
4
100
最大
单位
s
s
s
s
WE低级别保持时间
编程和擦除特性
符号
自动编程时间(字节模式)
t
PPW
自动编程时间(字模式)
t
PCEW
t
PBEW
t
EW
*:
典型值。
汽车芯片擦除时间
自动块擦除时间
擦除/编程周期
11*
95*
0.7*
10
5
参数
民
8*
最大
300
300
1350
10
单位
s
s
s
s
CYC 。
2001-03-06 22/55