IXDD409PI / 409SI / 409YI / 409CI IXDI409PI / 409SI / 409YI / 409CI
IXDN409PI / 409SI / 409YI / 409CI
应用信息
短路的di / dt限制
短路在高功率MOSFET的模块，如
VM0580-02F ， （ 580A ， 200V ），如示于图25中，可引起
电流通过模块流入过量1500A的供
为10μs或更前的自我毁灭，由于热失控。
由于这个原因，一些保护电路来关闭
MOSFET的模块。然而，如果该模块被关闭
过快，有瞬变电压的危险存在的上
漏因的Ldi / dt的， （其中， L表示在总电感
与漏系列） 。如果这些电压瞬变超过
MOSFET的额定电压，这可能会导致一场雪崩突破性
下来。
该IXDD409具有独特的能力，轻轻关闭
高功率MOSFET模块，显著减少这些
LDI / dt瞬态。
因此， IXDD409有助于防止设备的损坏
两
危险;过电流，并且雪崩击穿是由于
di / dt的感应过电压瞬变。
该IXDD409的设计不仅提供
±9A
在正常
条件下，也允许它的输出进入一个高
阻抗状态。这允许IXDD409输出来控制
检测到过电流时单独弱下拉电路
关机条件限制和分别控制
VGS
/ DT门
倒胃口。该电路示于图26 。
参看图26中，保护电路应当包括
一个比较器，其正输入被连接到源
在VM0580-02的。低通滤波器应该被添加到输入
比较，以消除电压引起的任何毛刺
通过导线连接所述源极电阻的电感
地面上。 （这些故障可能导致的误触发
比较器） 。
比较器的输出应该被连接到一个SRFF （集
复位触发器） 。触发器控件都使能信号，
和低功率MOSFET的栅极。请注意， CMOS 4000-
系列器件具有一个V操作
CC
范围从3到15伏直流， （与
18 VDC为最大允许限度） 。
一种低功率MOSFET ，如2N7000 ，串联一个
电阻，则可使VMO580-02F栅极电压下降
逐渐增强。电阻器的选择应使RC时间
常数将是100us的，其中"C"是密勒电容
该VMO580-02F 。
为恢复正常操作，一个复位信号，需要在
该SRFF的输入再次启用IXDD409 。这可以复位
通过连接之间的一个单触发电路产生
IXDD409输入信号和SRFF重新输入。一杆
将创建的IXDD409输入的上升的脉冲，这
脉冲将复位SRFF输出到正常操作。
当发生短路时，在整个低的电压降
值时，电流检测电阻， （卢比= 0.005欧姆） ，连接
MOSFET的源与地之间，而增加。这
触发比较器在一个预定的水平。该SRFF驱动低
输入使能引脚禁用IXDD409输出。该
SRFF也开启了低功耗MOSFET管（ 2N7000 ） 。
在这种方式中，高功率MOSFET模块被轻轻地关闭
由IXDD409 ，防止其破坏。
图26 - 应用测试图
+
Ld
10uH
-
VB
IXDD409
VCC
VCCA
IN
EN
+
-
Rd
0.1ohm
Rg
OUT
RSH
1600ohm
1ohm
HIGH_POWER
VMO580-02F
VCC
+
-
VIN
GND
子
Rs
LOW_POWER
2N7002/PLP
R+
10kohm
Ls
20nH
一个ShotCircuit
RCOMP
5kohm
NOT1
CD4049A
罗斯
1Mohm
COS
1pF
Q
R
REF
NAND
CD4011A
NOT2
CD4049A
CCOMP
1pF
0
COMP
LM339
+
V+
V-
-
+
-
C+
100pF
NOT3
CD4049A
EN
NOR1
CD4001A
S
NOR2
CD4001A
SR触发器
8
