NIF5002N
首选设备
自我保护FET
与温
电流限制
42 V ， 2.0 A单N沟道， SOT- 223
HDPlus 设备是一种先进的系列功率MOSFET
它采用安森美半导体最新的MOSFET技术工艺
以实现尽可能低的导通电阻每硅片面积而
结合智能功能。综合热和电流限制
携手合作，提供短路保护。这些器件具有
集成漏极至栅极钳位，使他们能够承受
高能量在雪崩模式。该线夹还提供
额外的安全裕度对突发电压瞬变。
静电放电（ ESD ）保护功能是通过一个集成提供
栅 - 源钳位。
特点
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
（夹紧）
42 V
R
DS （ ON）
典型值
165毫瓦@ 10 V
I
D
最大
2.0 A*
*最大电流限制值依赖于输入
条件。
漏
过压
保护
M
PWR
电流限制
与自动重新启动热关断
短路保护
I
DSS
指定高温
较高的雪崩能量
摆率控制的低噪声开关
过电压钳位保护
门
输入
R
G
ESD保护
温度
极限
当前
极限
当前
SENSE
应用
灯光
螺线管
小马达
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
漏极至源极电压内部钳位
漏极至栅极电压内部钳位
(R
G
= 1.0毫瓦）
栅极 - 源极电压
连续漏电流
功耗
@ T
A
= 25 ° C（注1 ）
@ T
A
= 25 ° C（注2 ）
@ T
T
= 25 ° C（注3 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
P
D
价值
42
42
"14
1.1
1.7
8.9
-55
150
150
单位
V
V
V
5002N
L
YM
SOT223
CASE 318E
方式3
门
来源
记号
图
1
4
漏
ONLYM
5002N
2
漏
3
来源
（ TOP VIEW ）
=具体设备守则
=地点代码
=年，月
内部限制
W
工作结温和存储温度
单脉冲漏极 - 源极雪崩能量
(V
DD
= 32 V, V
G
= 5.0 V，I
PK
= 1.0 A,
L = 300 mH的，R
G（ EXT ）
= 25
W)
T
J
, T
英镑
E
AS
°C
mJ
订购信息
设备
NIF5002NT1
NIF5002NT3
包
SOT223
SOT223
航运
1000 /磁带和放大器;卷轴
4000 /磁带&卷轴
热电阻额定值
等级
结 - 环境 - 稳态（注1 ）
结 - 环境 - 稳态（注2 ）
结到标签 - 稳态（注3 ）
符号
R
qJA
R
qJA
R
QJT
价值
114
72
14
单位
° C / W
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
1.表面安装到分垫的FR4印刷电路板， （ 2盎司的Cu， 0.06 “厚） 。
2.表面安装到2“平方FR4电路板（1”平方， 1盎司的Cu， 0.06 “厚） 。
3.表面安装到分垫的FR4印刷电路板， （ 2盎司的Cu， 0.06 “厚） 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2004年1月 - 修订版5
出版订单号：
NIF5002N/D
