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MIC49300
麦克雷尔
输入电容
1μF或更大的输入电容时，建议
该装置是大于4英寸远离批量供应
电容，或当电源是电池。小，
表面贴装陶瓷片状电容器，可用于在
旁路。电容器应放置在的1"
装置以获得最佳性能。较大的值将有助于
通过绕过输入到稳压提高纹波抑制
器，进一步提高输出电压的完整性。
热设计
线性稳压器简单易用。最复杂的
设计参数要考虑的是热特性。
热设计需要以下应用程序特定网络
参数：
最高环境温度（T
A
)
- 输出电流（I
OUT
)
- 输出电压（V
OUT
)
输入电压（V
IN
)
接地电流（I
GND
)
首先，计算出调节器的从功率耗散
这些数字，并从该数据表中的设备参数。
P
D
= V
IN
×
I
IN
+ V
BIAS
×
I
BIAS
– V
OUT
×
I
OUT
输入电流将小于输出电流在高
输出电流随着负载的增加而增加。偏置电流是一个
总之基极驱动和接地电流。接地电流
恒定的负载电流。然后，散热器热
电阻会被这个公式：
θ
SA
T
J（下最大）
–
T
A
=
P
D
–
θ
JC
+
θ
CS
应用信息
该MIC49300是一款超高性能，低压差
设计用于高电流应用的线性稳压器要求还
荷兰国际集团快速瞬态响应。该MIC49300采用了两种输入
耗材，显著降低了压差电压，非常适合
低电压，直流 - 直流转换。该MIC49300要求
最少的外部元件和获得的带宽
的高达10MHz 。作为
μCap
调节器，其输出是宽容的
几乎任何类型的电容器包括陶瓷和tanta-
LUM 。
该稳压器MIC49300从因损坏充分保障
故障条件下，提供线性电流限制和热
关机。
偏置电源电压
V
BIAS
，要求比较轻的电流，提供电源
该MIC49300的控制部分。 V
BIAS
要求近似
三方共同33毫安一个1.5A的负载电流。条件差
需要更高的电流。最偏置电流用于
提供基极电流的导通晶体管。这允许
传递元件被驱动进入饱和，降低了
辍学到300mV的在1.5A负载电流。绕过对
偏置销被推荐用于提高性能
在线路和负载瞬态稳压器。小型陶瓷
从V电容器
BIAS
对地帮助降低高频
被注入到从所述控制电路噪声
偏轨，是良好的设计实践。良好的旁路技
niques通常包括一个较大的电容，如一个1μF
陶瓷和较小值的电容器，如0.01μF或
0.001μF并联了较大的电容去耦
偏置电源。在V
BIAS
输入电压必须高于1.6V可
输出电压与最小V
BIAS
3V的输入电压。
输入电源电压
V
IN
提供了高电流的通的集电极
晶体管。最小输入电压为1.4V ，允许
从低电压电源的转换。
输出电容
该MIC49300需要最小的输出电容，以
保持稳定。然而，正确的电容选择是
重要的是要确保所期望的瞬态响应。该MIC49300
专门设计用于稳定与几乎所有电容
tance值和ESR 。一个1μF的陶瓷芯片电容器
满足大多数应用。输出电容可以IN-
有折痕的不绑定。见为前典型特征
的负载瞬态响应amples 。
X7R电介质的陶瓷电容建议使用，因为
事业的高温性能。 X7R型电容
器15％的电容改变对他们的工作温
温度范围内，而且是最稳定型的陶瓷的
电容器。 Z5U和Y5V介质电容器的值更改
高达50％和60 ％，分别在其能操作
阿婷的温度范围。要使用的陶瓷芯片电容器
与Y5V介质，该值必须比要高得多
X7R陶瓷或钽电容器，以保证在同一
电容值在工作温度范围内。
钽电容器具有非常稳定的电介质多（10％
其工作温度范围内），并且还可以与使用
此设备。
MIC49300
6
(
)
散热器可以在应用中显著降低
其中最大输入电压是已知的，大的COM
相比与压差。使用串联输入电阻
砸过电压和分发本之间的热
电阻器和调节器。的低压降性能
MIC49300可显著降低稳压器
耗散和未经compromis-相关的散热器
荷兰国际集团的表现。当此技术时，一个电容
至少1μF的器直接所需的输入和间
调节地面。请参考应用笔记9进一步
上的热设计和散热片试样的细节和例子
科幻阳离子。
最小负载电流
该MIC49300 ，不像大多数其他高电流调节器，
不要求一个最小负载，以保持输出电压
调节。
电源排序
没有电源排序要求V
IN
和V
BIAS
,
让更多的灵活性给用户。
2003年10月
