UTC 2SD882S
图1静态特性
NPN外延硅晶体管
安全图2降额曲线
经营领域
150
12
典型参数性能
图3功率降额
-Ic ，集电极电流（ A）
1.6
1.2
-IB=6mA
-IB=5mA
100
功耗（ W）
150
200
- 集成电路降额（ ％ ）
-IB=9mA
-IB=8MA
-IB=7mA
S/
b
8
0.8
LIM
ITE
d
D
pa
si
is
-IB=4mA
-IB=3mA
-IB=2mA
-IB=1mA
50
4
n
TIO
0.4
LIM
d
ITE
0
0
4
8
12
16
20
0
-50
0
50
100
0
-50
0
50
100
150
200
-collector发射极电压（ V）
TC，外壳温度（ ° C）
TC，外壳温度（ ° C）
图4集电极输出
电容
3
10
3
10
图5电流GAIN-
带宽积
1
10
图6安全工作区
集成电路（最大） ，脉冲
集成电路（最大） ，直流
10
mS
1m
S
S
1m
0.
输出电容（pF ）
F
T
（兆赫） ，目前GAIN-
带宽积
2
10
I
E
=0
f=1MHz
V
CE
=5V
2
10
-Ic ，集电极电流（ A）
0
1
10
10
0
I
B
=8mA
1
10
1
10
-1
10
0
10
10
0
-1
10
-2
10
-3
10
0
10
-2
10
-1
10
-2
10
10
10
0
1
10
2
10
-collector基极电压（ V）
IC ，集电极电流（ A）
集电极 - 发射极电压
图7直流电流增益
3
10
4
10
图8饱和电压
V
CE
=-2V
-saturation电压（毫伏）
直流电流增益，H
FE
3
10
V
BE
（SAT）
2
10
2
10
1
10
V
CE
（SAT）
1
10
0
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
0
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
-Ic ，集电极电流（mA ）
-Ic ，集电极电流（mA ）
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