产品speci fi cation
AP2306GN
▼
能够2.5V栅极驱动
▼
导通电阻的降低
▼
表面贴装封装
S
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
20V
32mΩ
5.3A
描述
SOT-23
G
先进的功率MOSFET采用先进的加工技术
实现尽可能低的导通电阻，非常有效和
成本效益的设备。
采用SOT -23封装普遍用于所有的商业，工业
应用程序。
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
, V
GS
@ 4.5V
连续漏电流
3
, V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲
1,2
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
20
±
12
5.3
4.3
10
1.38
0.01
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
价值
马克斯。
90
单位
℃/W
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sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 2
