ADS1110
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SBAS276A - 2003年3月 - 修订2003年11月
绝对最大额定值
(1)
VDD到GND
输入电流
输入电流
对地电压， VIN + ， VIN-
电压GND ， SDA ， SCL
最高结温
工作温度范围
存储温度范围
-0.3V至+ 6V
100mA时瞬间
10毫安，连续
-0.3V到VDD + 0.3V
-0.5V至6V
+150°C
-40 ° C至+ 125°C
-60℃到+ 150°C
这个集成电路可以被ESD损坏。
德州仪器建议所有
集成电路与适当处理
预防措施。如果不遵守正确的操作和
安装程序会造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降
完成设备故障。精密集成电路可能
更容易受到损伤，因为非常小的
参数变化可能导致设备不能满足其
公布的规格。
焊接温度（焊接， 10秒）
+300°C
（ 1 ）超出上述“绝对最大额定值”
可能对器件造成永久性损坏。接触
绝对最大条件下工作会影响
器件的可靠性。
封装/订购信息
产品
I2C
地址
1001 000
1001 001
1001 010
1001 011
1001 100
1001 101
1001 110
1001 111
PACKAGE -LEAD
包
DESIGNATOR(1)
的dBV
的dBV
的dBV
的dBV
的dBV
的dBV
的dBV
的dBV
特定网络版
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包
记号
ED0
ED1
ED2
ED3
ED4
ED5
ED6
ED7
订购
数
ADS1110A0IDBVT
ADS1110
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ADS1110
ADS1110
ADS1110
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SOT23-6
SOT23-6
SOT23-6
SOT23-6
SOT23-6
SOT23-6
SOT23-6
SOT23-6
ADS1110A0IDBVR
ADS1110A1IDBVT
ADS1110A1IDBVR
ADS1110A2IDBVT
ADS1110A2IDBVR
ADS1110A3IDBVT
ADS1110A3IDBVR
ADS1110A4IDBVT
ADS1110A4IDBVR
ADS1110A5IDBVT
ADS1110A5IDBVR
ADS1110A6IDBVT
ADS1110A6IDBVR
ADS1110A7IDBVT
ADS1110A7IDBVR
运输
媒体， QUANTITY
磁带和卷轴， 250
磁带和卷轴， 3000
磁带和卷轴， 250
磁带和卷轴， 3000
磁带和卷轴， 250
磁带和卷轴， 3000
磁带和卷轴， 250
磁带和卷轴， 3000
磁带和卷轴， 250
磁带和卷轴， 3000
磁带和卷轴， 250
磁带和卷轴， 3000
磁带和卷轴， 250
磁带和卷轴， 3000
磁带和卷轴， 250
磁带和卷轴， 3000
（ 1 ）对于最新的规格和包装的信息，请访问我们的网站： www.ti.com 。
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SOT23
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