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订购数量: ENN * 0000
2SK1645
N沟道嘎如MESFET
2SK1645
对于C到X波段本地振荡器和放大器
初步
特点
包装尺寸
单位:mm
2134A
[2SK1645]
1.9
0.95 0.95
0.4
4
3
0-0.1
最低的相位噪声。
超小型化塑料封装模具( CP4 ) 。
芯片表面覆盖有高可靠
保护膜。
全自动表面贴装可用。
0.5
0.16
1
2
0.95 0.85
2.9
0.5
0.6
1.5
2.5
0.8
1 :门
2 :源
3 :排水
4 :源
1.1
三洋: CP4
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流
允许功耗
结温
储存温度
符号
VDS
VGS
ID
PD
Tj
TSTG
条件
评级
6.0
--5.0
100
200
150
--55到150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子,能够处理
适用于要求极高的可靠性,如生命支持系统,飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前,用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数)和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
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