CAT28F010
英特尔授权
1兆位的CMOS闪存
第二个来源
特点
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快速读取访问时间：一百二十分之九十〇 NS
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低功耗CMOS功耗：
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商用，工业和汽车
温度范围
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芯片上地址和数据锁存器
s
JEDEC标准管脚引出线：
-active ：30 mA（最大值） （ CMOS / TTL电平）
-Standby ：最大1毫安（ TTL电平）
-Standby ： 100
A（最大值） （ CMOS电平）
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高速编程：
–10
每个的byte
-2秒典型芯片项目
-32引脚DIP
-32引脚PLCC
-32引脚TSOP （ 8 ×20 ）
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100,000编程/擦除周期
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10年的数据保存
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电子签名
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0.5秒典型芯片擦除
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12.0V
±
5％的编程和擦除电压
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停止定时器编程/擦除
描述
该CAT28F010是高速128K ×8位的电
可擦除和重新编程的闪存最好
适合需要在系统的应用程序或售后
代码更新。全记忆中的电擦除
内容是在0.5秒内典型地实现。
它与标准的引脚和读时序兼容
EPROM和EEPROM器件。编程和
通过擦除操作执行和验证
算法。所述指令输入通过I / O总线，
使用两个写周期方案。地址和数据
锁存期间释放的I / O总线和地址总线
写操作。
该CAT28F010使用催化剂制造的
先进的CMOS浮栅技术。它被设计
忍受100,000编程/擦除周期，并具有数据
保持10年。该器件可在JEDEC
批准的32引脚塑料DIP ， 32引脚PLCC和32引脚
TSOP封装。
I/O0–I/O7
框图
I / O缓冲器
擦除电压
开关
WE
命令
注册
编程电压
开关
CE， OE逻辑
数据
LATCH
SENSE
AMP
CE
OE
地址锁存
Y型GATING
y解码器
1,048,576位
内存
ARRAY
A0–A16
X解码器
电压以确认
开关
2009 SCILLC 。版权所有。
特性如有变更，恕不另行通知
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文档。编号MD- 1019 ，修订版摹
