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ADuC7036
为FIQ或IRQ中断最小的延迟为5个周期。
这包括在最短的时间要求可以通过
同步加时进入异常状态。
需要注意的是ARM7TDMI最初（第一个指令）运行在
ARM （ 32位）模式下，当发生异常。可以在用户
立即从ARM模式切换到Thumb模式，如果
必需的，例如，在执行中断服务例程时。
版权所有
0xFFFF0FFF
0xFFFF0000
MMRS
版权所有
0x00097FFF
FLASH / EE
0x00080000
版权所有
0x00417FF
0x00040000
SRAM
版权所有
0x0017FFF
07474-013
存储器组织
ARM7的MCU内核，其中有一个冯·诺依曼
体系结构，认为存储器作为2的线性阵列
32
字节位置。
如图13所示， ADUC7036映射这四个
不同用户区域：可以被重新映射的存储区域，一个
SRAM区域，Flash / EE区和内存映射寄存器
（ MMR ）的区域。
第94 KB这个存储器空间被用作一个区域划分成
其中片内Flash / EE或SRAM可以重新分配。
该ADUC7036在顶部设有第二个4 KB的区域
用于定位个MMR存储器映射，通过该
所有片上外设进行配置和监控。
该ADUC7036功能的6 KB的SRAM的大小。
该ADUC7036拥有96 KB的片内Flash / EE存储器，
94 KB ，其中可向用户和2 kB的其中
对芯片上的内核被保留。
可重映射存储器空间
（ FLASH / EE或SRAM ）
0x00000000
图13.存储器映射
SRAM
该ADUC7036设有6 KB的SRAM，组织成
1536 × 32位，也就是1536字位于0x00040000 。
RAM内的空间可以被用作数据存储器，也可以作为挥发性
程序空间。
ARM代码可以直接从SRAM以完全时钟速度运行
因为SRAM阵列被配置为一个32位宽度的存储器
数组。 SRAM是可读/写的8位，16位和32位段。
任何存取，读或写，对一个区域中没有定义
存储器映射的结果在数据中止异常。
重映射
在ARM异常向量位于的底部
存储阵列，从0x00000000地址到地址0x00000020 。
默认情况下，复位后， Flash / EE存储器在逻辑上是
映射到0x00000000地址。
因此能够在逻辑上重新映射的SRAM到地址00000000 。
这是通过设置SYSMAP0 MMR的位0完成
位于0xFFFF0220 。要恢复的Flash / EE为0x00000000 ，位0
SYSMAP0的被清除。
它可能需要将RAM映射到00000000以优化
在ADUC7036因为代码可以完全运行的中断延迟
32位ARM模式，以最大内核速度。应当指出的
当异常发生时，核心默认为ARM模式。
存储格式
该ADUC7036存储器组织配置在小
endian格式：最显著的字节位于最低
字节地址，并在最高字节的最显著字节
地址。
31位
BYTE 3
.
.
.
B
7
3
2字节
.
.
.
A
6
2
32位
1个字节
.
.
.
9
5
1
位0
BYTE 0
.
.
.
8
4
0
0x00000004
0x00000000
07474-012
0xFFFFFFFF
图12.小端格式
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