CXDM4060P
表面贴装硅
P沟道
增强型
MOSFET
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体CXDM4060P是
高电流硅P沟道增强模式
MOSFET ，专为高速脉冲放大器
和驱动器应用。这种MOSFET具有高
目前，低RDS （ON ） ，低阈值电压，低
栅极电荷。
标记：全部型号
SOT- 89 CASE
应用范围：
负载/功率开关
电源转换器电路
电池供电的便携式设备
最大额定值：
(TA=25°C)
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（稳态）
最大漏电流脉冲， TP = 10微秒
功耗
工作和存储结温
热阻
产品特点：
低RDS （ ON） （典型值48mΩ @ VGS = 10V ）
大电流（ ID = 6.0A ）
逻辑电平兼容
符号
VDS
VGS
ID
IDM
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
单位
V
V
A
A
W
°C
° C / W
40
25
6.0
20
1.2
-55到+150
104
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
典型值
I
GSSF ， IGSSR VGS = 25V ， VDS = 0
IDSS
VDS = 40V ， VGS = 0
BVDSS
VGS = 0时， n = 250μA
40
VGS （ TH）
VSD
RDS （ ON）
RDS （ ON）
CRSS
西塞
科斯
QG （ TOT ）
QGS
QGD
吨
花花公子
VGS = VDS ， ID = 250μA
VGS = 0时， IS = 2.0A
VGS = 10V ，ID = 6.0A
VGS = 4.5V ，ID = 4.0A
VDS=25V,
VDS=25V,
VDS=25V,
VDS=32V,
VDS=32V,
VDS=32V,
VDS=20V,
VGS = 0时， F = 1.0MHz的
VGS = 0时， F = 1.0MHz的
VGS = 0时， F = 1.0MHz的
VGS = 4.5V ，ID = 6.0A
VGS = 4.5V ，ID = 6.0A
VGS = 4.5V ，ID = 6.0A
VGS = 10V ，ID = 1.0A
1.0
2.0
48
80
61
750
56
6.5
3.2
2.7
18
64
最大
100
1.0
3.0
1.2
65
95
单位
nA
μA
V
V
V
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
RG = 3.0Ω ， RL = 20Ω
R1 （ 28 2013年3月）
