AD7622
参考电压输入
的AD7622允许的任一个非常低的温度的选择
漂移内部电压基准，一个外部1.2 V基准电压源的
可以使用内部基准电压缓冲器进行缓冲，或
外部参考。
不像许多ADC与内部参考，内部
在AD7622的基准提供了卓越的性能和
可以在几乎所有的应用中使用。
直接使用外部参考电压的优点是：
信噪比和动态范围的改善（约1.7 dB为单位）
从使用的基准电压的产生的非常接近
而不是典型的2.048 V基准电源（ 2.5V）
当内部参考使用。这是由计算
2.048
SNR
=
20日志
2.50
内部参考（ PDBUF =低， PDREF =低）
要使用内部参考， PDREF和PDBUF输入
必须都为低。这对产生1.2 V带隙输出
REFBUFIN ，其通过内部缓冲放大，并
结果在REF引脚2.048 V参考。
内部参考温度补偿， 2.048 V±
10毫伏。参考修剪，以提供一个典型的漂移
为8ppm / ℃。这种典型的漂移特性示于图8 。
REFBUFIN的输出电阻6.33千欧（最小）
当内部参考被启用。有必要
与陶瓷电容大于100 nF的去耦这一点。
因此，该电容器提供的RC滤波器，用于降低噪声。
因为REFBUFIN的输出阻抗通常为
6.33千欧，相对湿度（在其他工业污染物）
可直接影响基准的漂移特性。
典型地，一个保护环，用于减少漂移的影响
在这种情况下。但是，由于AD7622具有
细引脚间距，守着这点是不实际的。因此，在
这些产业和其它类型的应用程序，则建议
使用保形涂层，如道康宁1-2577或
HumiSeal 1B73 。
积蓄力量，当内部参考供电
向下（ PDREF高点） 。
PDREF和PDBUF断电的内部基准和
内部基准缓冲器中。输入电流
PDREF和PDBUF的不应该超过20毫安。这可以
发生时的驱动电压是高于AVDD （例如，在
电） 。在这种情况下，一个125 Ω串联电阻。
参考脱钩
无论是使用内部或外部参考， AD7622
参考电压输入（ REF ）具有动态输入阻抗;
因此，应该由具有低阻抗源驱动
在REF和REFGND输入之间的有效分离。
这种脱钩取决于电压基准的选择
但通常由一个低ESR电容连接到REF的
和REFGND具有最小寄生电感。一个10μF
（ X5R ， 1206尺寸）陶瓷芯片电容器（或47 μF钽
当使用内部电容）是合适的
引用或推荐的参考电压中的一个。
参考解耦的放置也很重要
在AD7622的性能。去耦电容
应安装在相同的一侧，在所述ADC的右
REF引脚厚厚的PCB走线。该REFGND也应该连接
到参考去耦电容器以最短距离。
对于使用多个AD7622器件的应用中，更
有效的是使用外部基准与内部参考
缓冲到缓冲的基准电压。但是，因为
基准电压缓冲器不是单位增益，比例，同时
抽样设计应该使用外部基准和外部
缓冲液中，如
AD8031/AD8032;
因此，保留
相同的参考电平为所有转换器。
电压基准的温度系数（ TC ）直接
影响满量程;因此，在应用中的满量程
精度问题，必须注意与TC 。例如，
一个± 15 PPM /引用的℃， TC由± 1 LSB /°C的满量程变化。
需要注意的是V
REF
可以增加至AVDD + 0.1V。由于
输入范围V中的术语定义
REF
这将从根本上
增加范围为0 V至2.8 V与AVDD = 2.7 V.
外部1.2 V基准电压和内部缓冲器（ PDBUF =
低， PDREF =高）
使用外部基准沿与内部缓冲器，
PDREF应该是高和PDBUF应该是低的。这种权力
下内部基准，并允许外部1.2 V
参照要应用到REFBUFIN ，产生2.048 V
（典型值）的REF引脚。
2.5 V外部基准（ PDBUF =高， PDREF =高）
直接在REF引脚使用外部2.5 V基准电压源，
PDREF和PDBUF都应该是高的。
为提高漂移性能，外部基准，如
该
AD780 ， ADR421 ， ADR431 ，
or
ADR441,
都可以使用。
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