添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第127页 > AD5440 > AD5440 PDF资料 > AD5440 PDF资料4第13页
数据表
数字部分
AD5547/AD5557
有16位/ 14位并行输入。该器件
是双缓冲与16位/ 14位寄存器。双缓冲
功能允许多个同步更新
AD5547s/
AD5557s.
对于
AD5547,
输入寄存器直接加载
从16位控制器总线,当WR变为低电平。该DAC
寄存器与数据从输入寄存器时LDAC更新
被拉高。更新DAC寄存器更新DAC
用新的数据的输出(见图18)。为了使两个寄存器
透明,领带WR低, LDAC高。异步RS
引脚复位部分零刻度,如果MSB = 0和中间值,如果
MSB = 1 。
AD5547/AD5557
参考电压的温度系数(TC)和长
长期漂移是主要的考虑因素。例如,一个5伏
为5 ppm的一个TC参考/℃的装置,由输出变化
25 μV/°C 。其结果是,参考在55℃下操作有贡献
一个额外的750 μV满量程误差。
同样,相同的5 V基准电压源,具有± 50 ppm的长期
漂移装置的输出可以通过± 250 μV的随时间而改变。
因此,它是实际的周期性校准系统,以
保持最佳精度。
PCB LAYOUT ,电源旁路和
接地连接
这是一个很好的做法,采用紧凑,最小引线长度,
PCB布局设计。引线的输入应尽可能短,
可以最小化IR压降和杂散电感。
V的印刷电路板的金属迹线
REF
和R
FB
还应该
匹配以最小化的增益误差。
此外,还必须绕过优质电源
电容器优化稳定性。供应导致设备
应与0.01 μF旁路至0.1μF光盘或陶瓷芯片
电容器。低ESR 1 μF至10 μF的钽电容
电容也应在与并联供电应用
所述陶瓷电容器,以减少瞬时扰动和
滤除低频纹波。
为了尽量减少数字地面反弹,该
AD5547/AD5557
DGND终端应在AGND终端加盟
一个点。图20显示了基本的电源旁路
配置并为AGND / DGND连接
AD5547/AD5557.
+ C2
5V
C1
1F
0.1F
V
DD
ESD保护电路
所有的逻辑输入引脚包含反向偏置的ESD保护齐纳二极管
连接到地( DGND )和V
DD
如示于图19 。
其结果是,所述逻辑输入的电压电平不应当
比电源电压更高。
V
DD
数字
输入
5k
DGND
图19.等效ESD保护电路
放大器选择
除了偏置电压,偏置电流是重要
运算放大器的选择精密电流输出DAC 。 A 30 nA的
输入偏置电流的运算放大器有助于为1 LSB在
的满量程误差
AD5547.
OP1177
AD8628
op
放大器是不错的人选I至V转换。
04452-026
AD5547/AD5557
AGND
参考选择
初始精度和参考电压的额定输出
确定全量程调整。的初始精度
基准通常是次要的,因为它可以是
修整。图25示出了一个微调电路的一个例子。
零刻度误差也可以通过标准运算放大器最小化
调零技术。
DGND
04452-015
图20.电源旁路
修订版D |第13页20

深圳市碧威特网络技术有限公司