2SK3085
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（F - MOSV ）
2SK3085
斩波稳压器， DC-DC转换器和电机驱动器
应用
·
·
·
·
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 1.7
（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 3 S （典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 100 μA（最大值） （Ⅴ
DS
= 600 V)
增强型： V
th
= 2.0~4.0 V (V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
单位：mm
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20千瓦）
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
600
600
±30
3.5
14
75
227
3.5
7.5
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
漏极功耗（TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
TO-220AB
SC-46
2-10P1B
重量：2.0克（典型值）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
1.67
83.3
单位
° C / W
° C / W
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。
注2 ： V
DD
=
90 V，T
ch
=
25℃ ，L-
=
28.8毫亨，R
G
=
25
W,
I
AR
=
3.5 A
注3 ：重复评价;脉冲宽度有限的最大通道温度。
此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。
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2002-08-09
