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产品文档和软件
请参阅以下文件，以帮助您的设计过程。
应用笔记
AN1907 ：回流焊安装方法高功率RF器件塑料封装
AN1955 ：射频功率放大器热测量方法
AN3263 ：博尔特下的安装方法，高功率射频晶体管和射频集成电路在过去 - 模压塑料封装
工程通报
EB212 ：使用数据表阻抗射频LDMOS器件
软件
电MTTF计算器
射频大功率型号
对于软件，做一个型号搜索，在http://www.freescale.com ，然后选择“编号”链接。转到软件&
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修订历史
下表总结了修订本文件。
调整
0
1
2
日期
2007年2月
2007年5月
2008年4月
数据表的初始版本
表6中得到纠正测试电路组件的部件号，组件牌号和值C4 ，
C17 ，C5， C18 ，C9， C12 ，C14， C23 ，C13 ，C21，和C22页。 3
新增个案工作温度限制在最大额定值表，限量150 ° C，P 。 1
纠正
国际空间站
测试条件，表示AC刺激的V
GS
连接相对于V
DS
连接，
动态特性表中， P 。 2
更新PCB信息显示更具体的材料的细节图。 2 ，测试电路原理图， P 。 3
表6中，分量选派和价值观，以最新的RoHS标准部分更新零件编号
数，p 。 3
更换表壳外形1486--03 ，问题C ，与1486--03 ，问题D ， P 。 8-10 。加入销号1至4
在表1 。
更换表壳外形1484--04 ，问题D ，与1484--04 ，发行E，P 。 11--13 。添加针数1
4表1 ，与引脚1和引脚2名称替换栅极和漏极符号。
3
2008年12月
添加典型性能表中的27 MHz ， 450 MHz的应用，第2
补充图。 15和16 ，测试电路元件布局 - 27 MHz和450 MHz和表7和表8 ，测试
电路元件标识和价值观 - 27 MHz和450 MHz的页。 8,9
补充图。 17 ，等效串联阻抗源和负载阻抗为27兆赫， 450兆赫， P 。 10
4
2010年4月
从200 ° C的工作结温上升到225 ℃，最大额定值表，相关
“在最高温度下连续使用会影响MTTF ”加脚注，改变了200℃ 225℃
在能够塑料包装子弹， P 。 1
加电迁移MTTF计算器和射频大功率型号可用性软件产品，
p. 17
描述
MRF6V2150NR1 MRF6V2150NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
17
