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恩智浦半导体
PDTA114E系列
PNP电阻配备晶体管; R 1 = 10 k ，R 2 = 10 k
7.特点
表8 。
特征
T
AMB
= 25
C除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
参数
集电极 - 基
截止电流
集电极 - 发射极
截止电流
发射极 - 基
截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极
饱和电压
断态输入
电压
通态输入
电压
偏置电阻器1 （输入）
偏置电阻率
集电极电容V
CB
=
10
V;
I
E
= i
e
= 0 ; F = 1 MHz的
跃迁频率
V
CE
=
5
V;
I
C
=
10
毫安;
F = 100 MHz的
[1]
条件
V
CB
=
50
V ;我
E
= 0 A
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0 A
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0 A;
T
j
= 150
C
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0 A
V
CE
=
5
V ;我
C
=
5
mA
I
C
=
10
毫安;
I
B
=
0.5
mA
V
CE
=
5
V;
I
C
=
100 A
V
CE
=
0.3
V;
I
C
=
10
mA
民
-
-
-
-
30
-
-
2.5
7
0.8
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
1.1
1.8
10
1.0
-
180
最大
100
1
5
400
-
150
0.8
-
13
1.2
3
-
单位
nA
A
A
A
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2/R1
C
c
f
T
mV
V
V
k
pF
兆赫
[1]
内置晶体管的特性。
PDTA114E_SER
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产品数据表
启10 - 2011年12月21日
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