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DG333A ， DG333AL
Vishay Siliconix公司
测试电路
+ 15 V
3V
V
IN
V+
+ 10 V
- 10 V
S
1
D
1
S
2
IN
1
3V
GND
V-
R
L
300
Ω
C
L
35 pF的
V
O
V
O
+ 10 V
50 %
0V
50 %
- 10 V
t
关闭
t
ON
- 15 V
重复试验中
2
在
3
而在
4
0V
t
关闭
t
开放
50 %
t
r
< 20纳秒
t
f
< 20纳秒
t
ON
t
开放
图2.开关时间
+ 15 V
逻辑
输入
V+
S
1
10 V
D
S
2
IN
GND
V-
V
O2
V
O1
V
O1
0V
V
D
C
L1
V
O2
0V
90 %
3V
50 %
0V
V
D
90 %
R
L1
R
L2
C
L2
t
D
t
D
- 15 V
R
L
= 300
Ω
, C
L
= 35 pF的
C
L
（包括网络连接夹具和杂散电容）
图3.休息前先
+ 15 V
C
V+
D
IN
S
R
L
100
Ω
分析仪
CH一
CH B
V
S
关断隔离= 20日志V
D
C =射频旁路
0 V, 2.4 V
GND
V-
C
- 15 V
图4.关断隔离
文档编号： 70803
S11-1762 -REV 。 D， 05 09月11
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